삼성이 VLSI 심포지엄에서 7nm EUV 기술의 상세 내용을 발표했습니다.
핀 피치 27nm, 게이트 피치 54nm, 0.0262평방미크론의 고밀도 SRAM 셀 등으로, 10nm 공정과 비교하면 크기가 40% 줄어들었습니다.
EUV를 사용하면 패턴 충실도가 향상되고 변동성이 줄어 193nm ArF 액침 공정 대비 패턴 충실도가 70% 개선됩니다. 그보다 더 중요한 건 다중 노출 대신 단일 노출로 접점과 금속층을 제작해 마스크 단계를 25% 줄여준다는 것.
삼성은 7nm 플랫폼으로 256Mb SRAM 테스트 칩을 만들었으며 수율은 50% 이상을 기록했습니다. 또 쿼드코어 CPU, 6코어 GPU, SRAM 캐시를 갖춘 7nm 애플리케이션 프로세서를 만들었습니다. 성능은 20`30%, 전력은 30~50% 개선됩니다.