최근 미국 정부는 양자 컴퓨터, 3D 프린터, GAA 트랜지스터를 비롯한 최신 첨단 기술의 수출 금지를 발표했습니다. 여기선 GAA 트랜지스터에 대해 보겠습니다. 

 

현재 인텔, 글로벌 파운드리, 삼성, TSMC의 고급 양산 공정은 FinFET 트랜지스터를 사용합니다. 22nm부터 내년에 나올 5nm까지 다양한 공정에서 사용하지요.

 

5nm 이후엔 반도체 제조가 더 어려워지며, 성능과 밀도를 개선하기 위해선 트랜지스터 구조를 새로 바꿔야 합니다. 그 중 가장 유망한 기술이 GAA 서라운드 게이트 트랜지스터입니다. 삼성전자는 작년에 3nm GAA를 3GAE란 이름으로 발표했습니다.

 

삼성은 GAA 트랜지스터 구조를 기반으로 나노 칩 디바이스를 사용해 MBCFET(멀티 브릿지 채널 FET)를 만들었는데, 이게 FinFET 구조를 대체해 트랜지스터 성능을 크게 향상시킬 거라고 기대합니다. 또 기존의 FinFET 제조 공정 기술/장비와 호환되기에 2022년부터 공정 개발과 생산이 가능합니다. TSMC와 인텔은 구체적인 진도를 밝히지 않았으나 5nm 이후 GAA를 쓸 가능성은 높습니다.

 

미국이 GAA 트랜지스터 기술을 차단함으로서 중국의 파운드리인 SMIC 등이 해외 기술을 조달받아 반도체를 생산하긴 어려울 것 같습니다. 하지만 중국의 기술 수준은 3nm 공정을 쳐다볼 수준은 아니라서 당장 큰 영향은 주지 않을 겁니다.