삼성전자는 ‘V1 라인’에서 초미세 EUV 공정 기반 7나노부터 혁신적인 GAA(Gate-All-Around) 구조를 적용한 3나노 이하 차세대 파운드리 제품을 주력으로 생산할 계획이다.
삼성전자는 2019년 4월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 7나노 SoC 제품을 출하한 데 이어, 2019년 하반기부터는 6나노 제품 양산을 시작했다.
5나노 공정은 2019년 하반기 제품 설계를 완료했으며, 4나노 공정은 2020년 상반기 공정 개발을 완료하고 하반기에 제품 설계도 마칠 계획이다.