"5나노 공정은 성숙 수율(생산품 중 합격품 비율) 단계에 접어들었다. 4나노는 초기 생산량 확대가 다소 지연됐지만 조기 안정화에 주력해 예상한 수율 향상 곡선으로 진입한 상태다. 3나노 공정도 생산량 확대 기간을 줄이고 수익성을 향상해 공급 안정화를 추진 중이다." (강문수 삼성전자 파운드리사업부 부사장, 28일 실적 설명회)

삼성전자가 올초 불거졌던 반도체 파운드리(위탁생산) 수율 논란에도 불구하고 당초 계획대로 2분기 안에 GAA(게이트 올 어라운드) 방식의 3나노 공정 제품을 세계 최초로 양산할 예정이라고 28일 밝혔다. 이날 발표한 1분기 확정실적 자료와 실적 설명회에서다.

삼성전자가 반도체 로드맵을 구체적으로 밝히는 경우는 흔치 않다. 다분히 연초 논란을 의식한 '틈새 발표'로 기술력 자신감을 피력했다는 얘기가 나오는 이유다. 삼성전자의 계획대로 진행된다면 전 세계 파운드리 시장에서 점유율 과반을 차지하는 대만 TSMC에 맞설 신무기를 장착하게 될 전망이다. TSMC는 올 하반기부터 3나노 공정을 양산할 계획이다. 공정 방식도 3나노까지는 기존 핀펫 방식을 유지하기로 해 삼성전자보다 다소 늦다.

 

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