반도체 제조 공정의 개선이 갈수록 어려워지고 있습니다. 10nm 이하의 최신 공정에선 더욱 복잡해진 과정과 설비가 필요한데요. 반도체 제조 설비를 만드는 ASML은 극자외선인 EUV 노광이 이를 해결할 핵심 기술이라 보고 있습니다.

EUV는 193nm의 파장을 갖고 있는데, 파장이 짧을수록 노광의 해상력은 더 높아지고 트랜지스터를 더 작게 만들 수 있습니다. 따라서 이걸로 10nm와 그 아래 칩을 생산할 수 있다고들 하지요.

하지만 EUV는 연구한지 몇년이 됐는데도 처음 예상만큼 순조롭게 진도가 나가지 않았습니다. 14nm에서 EUV를 쓸 것이라는 낙관적인 전망도 있었으나 지금은 10nm에서도 가능할지 모를 상황이거든요.

TSMC의 경우 7nm 노드에서 EUV를 사용한다는 이야기가 있으나 5nm 양산에서도 쓸 것으로 보입니다. 반면 삼성은 처음으로 EUV를 쓰게 되지 싶네요. ASML에서는 삼성이 EUV 노광 장비인 NXE3400을 구입했다고 확인해 줬거든요.

새로운 장비를 설치하고 생산하려면 2~3분기는 걸립니다. 그럼 삼성이 EUV를 사용해 7nm 칩을 내놓는 건 내년이 되겠지요.