6월 4일부터 17일에 반도체 기술 서킷이, 13일부터 16일에 VLSI 테크놀러지가 열립니다. 여기에선 올해 반도체 기술에 대한 새로운 기술과 논문이 발표될 예정입니다. 

10nm 이후의 최첨단 CMOS 로직에 대해 3개 회사가 발표합니다. TSMC는 10nm 이하의 미세 가공 기술 모바일 SoC을 위한 모바일 SRAM, 삼성전자는 Si 벌크 FinFET을 기반으로 한 10nm 기술, IBM과 글로벌 파운드리는 동작 속도의 향상을 중시한 트랜지스터 기술을 선보입니다.

차세대 메모리 기술에선 TDK가 STT-MRAM을 온칩 캐시에 사용하며, TSMC는 260도의 고온 납땜을 견디는 STT-MRAM 기술을 개발했습니다. 그리고 5nm 이하의 미세화가 가능한 ReRAM 기술이 발표된다네요.

NXP는 전력 변환 효율이 96%인 전압 변환 회로를 탑재한 멀티 전압 도메인의 마이크로 컨트롤러, 인텔은 IoT 디바이스를 위한 무선 센서 회로를 발표하는데 x86 IA-32 마이크로 컨트롤러를 사용합니다.

리얼텍은 부하가 가벼울 때 95%의 효율을 내는 DC-DC 컨버터 기술을 USB 타입 C 인터페이스에 사용, TSMC는 저전력 블루투스 로우에너지 트랜시버를 발표합니다. ARM은 64Kbit 400mW 2.8GHz SRAM을, 소니는 480fps 830만 화소 CMOS 센서, 귓구멍에 센서를 넣어 뇌파를 측정하는 기술 등도 발표된다네요.