후지쯔의 전자 디바이스 사업은 과거에 크게 3개 사업으로 나눌 수 있었습니다. 반도체, 평면 패널 디스플레이, 전자 부품이 그것입니다. 1980년대엔 반도체와 전자 부품이 주요 사업이었고, 1980년대 후반엔 ASIC 후지쯔라 불리는 ASIC(세미 커스텀 반도체)와 DRAM이 반도체 사업의 주요 영역이었습니다. 또 1968년부터 플라스마 디스플레이 패널의 개발을 시작해 1980년대에도 개발을 계속했습니다.

 

 

1990년대: 전자 디바이스 사업

 

1990년대 전반에는 대형 액정 디스플레이가 새로운 성장 사업으로 꼽혔습니다. 당시엔 PC 디스플레이를 노렸으며 더 나아가선 대형 TV용 디스플레이를 겨냥했지요. 후지쯔 외에도 히타치 제작소, 미쓰비시 전기 NEC, 도시바, 파나소닉, 샤프 등이 대형 액정 패널 사업에 참가했습니다.

 

또 1992년에 후지쯔가 21인치 대형 플라스마 디스플레이를 개발하는 등, 플라스마 디스플레이가 대형 TV용으로 주목을 끌었습니다. 플라즈마 디스플레이 사업에는 히타치 제작소, 파나소닉, 파이오니어도 참가해 일본의 평면 디스플레이 산업은 활기가 넘쳤쳤습니다.

 

그러나 1990년대 후반에 들어서면서 일본의 전자 디바이스 사업을 둘러싼 환경이 어려워졌습니다. DRAM 사업의 쇠퇴가 그 시작이지요. 1990년대 후반 일본과 미국의 DRAM 사업은 한국의 DRAM 제조사에 밀려 적자를 내게 됩니다. 1998년에는 미국의 텍사스 인스트루먼트와 모토로라(현재의 프리스케일 반도체), 일본의 오키 전기 공업(현재의 라피스 컨덕터)가 범용 DRAM사업에서 철수합니다.

 

1999년에는 후지쯔가 범용 DRAM 사업에서 철수했고 2001년에는 도시바도 범용 DRAM 사업에서 손을 뗐습니다. 반면 NEC와 히타치 제작소는 DRAM 합작 기업인 NEC히타치 메모리를 2000년 4월에 설립합니다. NEC 히타치 메모리는 이후 회사명을 엘피다 메모리로 바꿔 2002년 4월에 미쓰비시의 DRAM 사업을 흡수했습니다.

 

1990년대 후반은 반도체 메모리 사업의 중심축이 DRAM 사업에서 플래시 메모리 사업으로 기울어진 시대이기도 합니다. 다만 여기서 말하는 플래시 메모리는 지금의 주류인 낸드 플래시가 아니라 NOR 플래시 메모리입니다.

 

1985년에 DRAM 사업에서 철수한 미국 인텔은 1990년대에 NOR 플래시 메모리를 취급하면서 메모리 반도체 개발사로 부활했습니다. 미국 기업을 보면 AMD가 NOR 플래시 메모리에 열심이었으며 일본 기업에는 도시바, 히타치 제작소, 미쓰비시 전기, NEC 등이 NOR 플래시 메모리를 다뤘습니다. 물론 후지쓰도 NOR 플래시 메모리에 참가했습니다.

 

 

2000년대 전반: 플래시 메모리 합작과 평면 패널에서 철수

 

그러나 2000년대에 들어서 플래시 메모리 시장은 가격 경쟁이 심해집니다. 경쟁 우위를 확보하기 위해 후지쯔가 택한 것은 AMD와 플래시 메모리 합작 기업을 설립한 것입니다. 후지쓰는 AMD와 합작해 플래시 메모리 생산 자회사를 1993년에 설립했습니다. 나중엔 제휴를 사업 전체로 확대해 2003년에 합작 회사인 FASL(나중에 Spansion이 됨)을 설립합니다.

 

당시 후지쓰는 2001년에 발생한 IT와 반도체 업계의 갑작스러운 경기 후퇴로 2002년에 대규모 사업 구조 개혁에 착수했습니다. 당시 후지쯔의 주요 사업은 컴퓨터, 통신, 전자 디바이스의 3가지였는데, 반도체를 비롯한 전자 디바이스 사업도 당연히 구조 개혁의 대상이었습니다.

 

2002년에 후지쯔의 전자 디바이스 사업은 꽤 어려운 상황이었습니다. 앞서 말한 3개 사업, 반도체 , 평면 패널 디스플레이, 전자 부품속에서 영업 이익을 거둔 것은 전자 부품 사업 뿐이었으며 반도체와 평면 디스플레이는 적자가 계속됐습니다.

 

반도체 사업은 로직과 시스템 메모리로 크게 나눌 수 있고, 평면 디스플레이 사업은 액정 디스플레이와 플라스마 디스플레이로 나뉩니다. 총 4개 부문이 모두 영업 적자를 낸 어려운 상황이었지요. 전자 디바이스 사업 전체를 보면 2001년도(2002년 3월)와 2002년도(2003년 3월)가 2년 연속 영업 적자를 냈습니다.

 

대형 평면 패널 디스플레이 시장에선 한국의 업체들이 액정 디스플레이와 플라스마 디스플레이에 참가했고, 대만에서 대형 액정 디스플레이의 설계 제조를 다루는 기업이 잇따라 탄생했습니다. 한국 기업과 대만 기업의 가격 인하 경쟁에 휘말린 일본 기업은 예외 없이 곤경에 빠졌습니다.

 

처음에 일본 기업은 사업 통합(합적 회사 설립)으로 덩치를 불려 가격 경쟁에 대항하려 했지만 적자를 냈습니다. 그 결과 합작 관계에서 손을 떼는 기업이 나타나거나 사업 자체를 다른 일본 기업에 넘기는 경우도 있었습니다.

 

후지쓰는 플라스마 디스플레이 사업의 합작에서 철수를 선택했습니다. 1999년 4월에 히타치 제작소와 합작(출자 비율은 50%씩)해 후지쓰 히타치 플라스마 디스플레이 주식회사를 설립했지만 2005년 2월 2일에는 주식의 30.1%와 후지쯔의 지적 재산권을 히타치 제작소에 넘기기로 합의했음을 발표, 플라스마 패널 사업에서 철수합니다.

 

이후 2008년 4월에는 후지쯔가 남은 전 주식을 히타치에 양도해 후지쓰 히타치 플라스마 디스플레이는 히타치 플라스마 디스플레이가 됐습니다. 뒤이어 9월 18일에 히타치는 히타치 플라스마 디스플레이의 패널 생산을 2009년 3월에 정지한다고 발표, 플라스마 TV용 패널은 파나소닉에서 조달한다고 발표했습니다.

 

액정 디스플레이 사업의 경우 후지쓰는 2005년 2월 7일 샤프에 액정 디스플레이 사업을 양도하며, 액정 패널 제조 장치 사업도 매각하기로 합의했음을 발표했습니다. 여기에 따라 후지쓰는 액정 디스플레이 사업에서 완전히 철수하게 됩니다.

 

이러한 구조 개혁과 사업 환경의 호전에 따라 후지쓰의 전자 디바이스 사업은 2003년도(2004년 3월)부터 영업 흑자로 전환합니다.

 

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2000년도(2001년 3월), 2004년도(2005년 3월) 전자 디바이스 사업의 실적. 2000년도에 좋은 실적을 보이던 것이(왼쪽) 2001년도엔 매출이 크게 줄고 큰 영업 손실을 봤습니다. 손실은 2002년까지 2년 연속 이어졌습니다. 

 

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2003년~2005년 후지쓰의 전자 디바이스 사업의 주요 동향

 

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2002년도~2004년도의 전자 디바이스 사업 상황. 후지쓰가 2005년 2월 8일 개최한 전자 디바이스 사업 전략 설명회의 자료로부터 인용한 것

 

 

2004년: 첨단 로직 사업 확대에 자원을 집중

 

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미에 공장에 건설하는 최첨단 로직 양산용 공정 라인의 개요. 후지쓰가 2004년 3월 19일에 개최한 최첨단 로직 전략이란 설명회 자료에서 인용한 것

 

후지쓰는 플래시 메모리 사업 합작에 의한 분사, 평면 디스플레이 사업 철수에 의한 사업 축소 외에도 전자 디바이스 사업에 몇가지 개혁을 실행했습니다. 예를 들어 반도체 제조 후처리 공정이 4개 자회사로 나위어져 있던 걸 하나로 통합한 것입니다.

 

그리고 사업 확대를 견인하기 위해 첨단 로직 반도체에 주력합니다. 첨단 프로세스의 개발과 양산 규모의 확대로 최첨단 대규모 로직 반도체, 즉 시스템 LSI와 SoC(System on a Chip), ASSP(특정 용도용 반도체 제품)을 제공한다는 전략입니다.

 

그 제조의 기반이 되는 것이 미에 공장에 건설하는 직경 300mm의 웨이퍼 공정으로, 당시로선 최첨단이었던 90nm 공정(이후엔 65nm 공정으로 업그레이드)에서 처리한다는 것이었습니다.

 

 

2004년: 새로운 사업 모델인 New IDM을 앞세움

 

이때 후지쓰가 쓴 것이 New IDM이라는 사업 모델입니다. 반도체 사업 모델은 크게 수직 통합형(IDM:Integrated Device Manufacturing)과 수평 분업형(Horizontal Specialization)으로 나눌 수 있습니다.

 

수직 통합형 사업 모델은 반도체 제품을 만들어 내는 공정 전부(혹은 대부분)를 자사에서 조달하는 사업 모델입니다. 일반적으로는 반도체 설계 기능과 제조 기능을 모두 갖춘 사업 모델을 가리킵니다. 예를 들어 인텔은 수직 통합형 사업 모델을 대표하는 반도체 제조사입니다. 수직 통합형의 장점에는 설계와 제조의 긴밀한 제휴로 고성능 반도체 칩을 빠르게 개발하기 쉽다는 점이 있습니다.

 

수평 사업형 사업 모델은 반도체 제품을 만들어 내는 공정의 일부만 수행하는 사업 모델입니다. 반도체의 설계를 전문으로 하는 기업, 반도체 제조(전 공정)을 전문으로 하는 기업, 반도체 제조(후처리)를 전문으로 하는 기업 등이 있습니다. 수평 분업형의 장점은 전문 분야에 연구 개발 투자나 설비 투자 등을 집중할 수 있고, 제조 전문 기업은 양산 규모의 크기를 늘려 제조 비용을 줄일 수 있다는 것입니다.

 

반도체 산업은 원래 수직 통합형 사업 모델 위주였습니다. 그러나 제조 부문을 갖지 않는 반도체 제조사(팹리스)와 제조 부문 전문 회사(파운드리)가 1990년대에 빠르게 성장하면서 수평 분업형 사업 모델이 인기를 모으게 됐습니다.

 

후지쯔의 New IDM은 수직 통합형 개량 모델로 불리는 사업 모델입니다. 고객 입장에서 보면 후지쓰는 반도체 사업의 모든 기능을 갖춘 개발사로 이른바 원 스톱 솔루션을 제공합니다. 후지쓰는 전문화된 기업(설계 기업인 디자인 하우스, 화웅다리 등)과 파트너십을 맺어 최적의 솔루션을 제공합니다. 수직 통합과 수평 분업의 장점을 찾은 사업 모델입니다.

 

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후지쓰가 2000년대 중반에 밀어붙인 사업 모델인 New IDM. 2004년 5월 26일에 후지쓰가 개최한 경영 방침 설명회의 자료에서 인용.

 

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후지쓰가 2004년 5월 26일 경영 방침 설명회에서 공표한 전자 디바이스 사업의 목표. 2004년도(2005년 3월) 매출 목표는 8,300억엔. 

 

 

2005~2006년: 공격적인 사업 전략

 

후지쓰가 2004년에 발표한 최첨단 로직(시스템 LSI)을 주력으로 삼고 개량형 수직 통합 모델을 내세우며 양산 공장을 새로 건설한 것을 보면 사업 전략이 꽤나 공격적인 편입니다. 새로운 사업을 창출하는 것과도 같았지요. 결과적으론 잘 안됐지만.

 

후지쯔의 새로운 사업 전략에서 성공 여부를 좌우하는 건 미에 공장에 신설한 300mm 라인이 본격 가동을 시작한 2005년 9월 이후입니다. 300mm 라인의 가동율은 2005년도 하반기와 2006년도 이후의 실적에서 그리 눈에 듸는 모습을 보이진 못했습니다. 물론 후지쯔 입장에선 좋은 모습을 보이길 기대하고 있었고 그렇게 되도록 노력을 하고 있었습니다.

 

예를 들면 2006년 2월 7일에 후지쓰가 개최한 전자 디바이스 사업 전략 설명회에서는 전 세계에서 20개를 넘는 고객을 최첨단 로직 분야에서 얻었다고 설명했습니다. 여기서 말하는 고객이란 칩 제조사에 국한된 것이 아닙니다. 후지쯔 반도체에 제조를 위탁한 팹리스 제조사도 다수 포함됩니다.

 

또 후지쯔 브랜드가 붙은 제품으론 이미지 프로세싱 분야를 위해 ASSP(특정 용도의 반도체 제품)을 적극적으로 출시해 나갈 것이라 설명한 바 있습니다. 이미지 프로세싱 처리는 매우 수준 높은 로직을 필요로 하며 후지쯔가 잘 하는 분야이기도 합니다.

 

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후지쓰가 최첨단 로직 분야에서 획득한 고객. 2006년 2월 7일에 개최된 전자 디바이스 사업 전략 설명회 자료에서 인용

 

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후지쓰가 ASSP에서 주력하는 분야. 2006년 2월 7일에 개최된 전자 디바이스 사업 전략 설명회 자료에서 인용.

 

그리고 2004년에 발표한 최첨단 로직에 주력하는 사업 계획을 2005년~2006년에 적극적으로 진행했습니다. 미에 공장의 300mm 라인에 대한 설비 투자를 당초 계획에서 앞당겨 새로운 라인을 건설한다는 걸 2006년 1월 11일에 발표했습니다. 2년 후인 2008년 3월에는 당초 계획보다 생산 능력을 60% 이상으로 키우겠다는 야심적인 계획입니다.

 

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미에 공장의 300mm라인 신규 건설의 개요. 2006년 2월 7일에 개최된 전자 디바이스 사업 전략 설명회 자료에서 인용.

 

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300mm라인 제조 능력 증강 계획. 2007년 3월에 월 1만장의 처리 능력을 갖추던 것을 15000장으로 늘리며, 2008년 3월엔 25000장으로 늘리겠다는 것입니다. 2006년 2월 7일에 개최된 전자 디바이스 사업 전략 설명회 자료에서 인용.

 

 

2006~2007년: 수익 위주로 궤도 수정

 

그러나 반도체 매출액은 당초 계산한 것보다 저조했습니다. 2005년도(2006년 3월) 반도체 매출액은 4601억엔, 2006년도(2007년 3월)의 반도체 매출액은 2006년 10월 26일 시점에서 5100억엔을 예상했지만, 2007년 1월 31일엔 시장 상황의 악하로 매출 예상 값을 4600억엔으로 하향 조정했습니다(실적은 4735억엔). 그리고 전자 디바이스 사업 전체의 영업 손익은 300억엔 흑자에서 200억엔 흑자로 하향 조정했다(실적은 193억엔).

 

전자 디바이스 사업은 2006년도에 반도체(LSI)와 전자 부품으로 구성돼 있었습니다. 반도체와 전자 부품의 영업 이익을 따로 발표하진 않았지만 매출만 보면 반도체가 큰 적자를 내고 있었습니다. 전자 부품의 매출이 5백억엔 늘었지만 반도체는 거의 그대로였거든요.

 

근데 전자 디바이스 사업의 영업 흑자가 대폭 줄었습니다. 전자 부품 사업의 경비가 크게 늘어날 이유가 없는데 비해, 반도체 사업은 최첨단 로직 제조 라인의 설비 투자가 필요하다 보니 상환 부담이 무겁습니다. 그래서 반도체 사업의 수지 개선이 큰 과제가 되어 왔습니다.

 

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2006년도(2007년 3월)의 전자 디바이스 사업의 실적 예상 수정. 2007년 4월 4일에 개최된 전자 디바이스 사업 전략 설명회의 자료에서 인용

 

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2000년도(2001년 3월), 2007년도(2008년 3월) 전자 디바이스 사업의 실적. 2003년 영업 수지는 흑자 전환했지만 2005년도 이후엔 매출액이 늘었음에도 영업 흑자가 줄었습니다. 최첨단 로직 제조 라인에 들어가는 거대한 설비 투자가 영업 이익을 줄인 것입니다. 이 숫자는 후지쯔의 결산 자료에서 나온 것입니다.

 

이 결과 2007년 4월에 개최된 전자 디바이스 사업 전략 설명회에서는 2006년 2월 시점에서 제시했던 첨단 로직의 생산 능력 증강을 당분간 보류한다고 밝혔습니다. 수요의 변화를 지켜보면서 생산 능력을 수시로 재검토하겠다는 것인데, 생산 능력 확대를 앞당기겠다고 말한 후 불과 1년만에 바뀐 입장입니다.

 

생산 능력 확대의 조기 실현을 위해선 어느 정도 시간이 걸립니다. 그래서인지 2006년~2007년의 후지쓰 반도체 사업에는 낯선 움직임이 느껴지는데 대표적인 것이 Spansion의 제조 라인 인수입니다. 130nm 이상의 기존 공정을 쓰는 반도체 생산 능력 강화를 목적으로 2006년 9월에 인수를 발표했는데, 2007년 4월에 이를 정할 수 있었다면 인수를 취소했을 가능성이 높습니다.

 

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반도체 사업 방침 전환. 90nm 이하의 첨단 프로세스를 중시하는 것에서 130nm 이상의 기존 공정을 활용해 수익을 내는 구조로 전환. 2007년 4월 4일에 개최된 전자 디바이스 사업 전략 설명회의 자료에서 인용

 

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첨단 로직 생산 능력 확대 개편. 점선은 2006년 2월 발표 당시의 증산 계획. 2007년 4월 4일에 개최된 전자 디바이스 사업 전략 설명회의 자료에서 인용.

 

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후지쯔의 반도체 사업의 2005년~2006년의 주요 움직임

 

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후지쯔의 반도체 사업의 2007년 1월 3월 주요 움직임

 

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후지쓰 반도체 테크놀러지(FSET)의 사업 시작과 생산 능력의 증강. 2007년 4월 4일에 개최된 전자 디바이스 사업 전략 설명회의 자료에서 인용

 

2007년도(2008년 3월) 전자 디바이스 사업의 매출액은 7967억엔으로 전년 대비 4.4% 증가, 반도체 매출액은 5088억엔으로 전년 대비 7.5% 증가했습니다. 그러나 전자 디바이스 사업의 영업 이익은 182억엔. 전년 대비 4.2% 감소입니다. 매출은 늘었는데 수익이 줄어드는 이 상황을 타개하기 위해 2008년 1월에 후지쯔는 반도체 사업을 분리해 자회사한다고 발표합니다.

 

후지쯔가 반도체 사업을 본사에서 분리해 자회사로 만든다고 발표한 건 지금으로부터 약 7년 정도 전인 2008년 1월입니다. 그 해 3월에 100%의 지분을 가진 자회사인 후지쯔 마이크로 일렉트로닉스(이후 2010년 4월에 이름을 후지쯔 세미컨덕터로 바꿔 지금까지 사용)를 설립했습니다.

 

반도체 사업을 소유한 일본 대형 전자 기업이 반도체 사업을 분리하는 움직임은 2000년대 들어서 더욱 활발해졌습니다. DRAM 사업이 곤경에 빠진 것과 2001년에 발생한 급격한 반도체 시장 축소가 반도체 사업을 분리하도록 만들었습니다. DRAM 사업 분리의 대표적인 회사는 엘피다 메모리입니다. NEC와 히타치 제작소는 DRAM 합작 기업인 NEC 히타치 메모리를 2000년 4월에 설립했습니다. NEC 히타치 메모리는 이후 회사명을 엘피다 메모리로 바꿔 2002년 4월에는 미쯔비시의 DRAM 사업을 흡수했습니다.

 

DRAM 외의 반도체 제품, 즉 로직 반도체 사업을 분리하는 움직임은 NEC 히타치 제작소 미쯔비시 전기에서 생겨났습니다. NEC는 2002년 11월 반도체 사업 자회사인 NEC 일렉트로닉스를 발족시켰습니다. NEC 일렉트로닉스는 2003년 7월에 상장해 주식 시장에서 자금을 자체 조달했으며, 덕분에 반도체 분사의 성공 사례로 평가 받기도 했습니다. 히타치와 미쯔비시는 2003년 4월에 자신들의 반도체 사업을 통합한 합작 회사인 르네사스 테크놀로지를 설립했습니다. 르네사스 테크놀로지는 이후 2010년 4월에 NEC 일렉트로닉스와 합병해 르네사스 일렉트로닉스가 됐습니다.

 

일본 대형 전자 기업 5개 회사 중에 2001년의 불경기에도 불구하고 반도체 사업을 분리하지 않고 구조 개혁의 길을 선택한 게 도시바와 후지쯔입니다. 반도체 사업을 성장시키는 견인 역할로 도시바는 NAND 플래시 메모리, 후지쯔는 최첨단 로직을 선택했습니다. 양쪽 모두 나름대로의 이유가 있으며 성공을 위해 노력했습니다.

 

위에서 설명한대로 후지쯔는 90nm이하의 최첨단 로직 반도체에 주력하면서 세계 최대급의 생산 능력을 실현하기 위해 거액의 설비 투자를 감행했습니다. 그러나 당초 기대만큼 매출이 늘어나진 않고 무거운 상환 부담 때문에 거액의 적자를 냅니다. 2006년도(2007년 3월) 후반에는 생산 능력 확대 속도를 늦추고 대신 설비 투자의 상환 부담 증가를 줄였습니다.

 

 

2007년: 반도체 사업 재구축의 움직임이 활발해짐

 

그리고 2007년도(2008년 3월)에 들어서 반도체 사업을 재구축하는 움직임이 활발해집니다. 처음은 영업 태세의 강화입니다. 2007년 8월에 전자 디바이스 판매 회사인 후지쯔 디바이스 주식 회사를 완전 자회사화했고 곧이어 그 해 10월에는 후지쯔 본사의 전자 기기 판매 부문을 분리해 후지쯔 디바이스와 통합한 새로운 회사 후지쯔 엘렉트로닉스 주식회사를 설립했습니다. 그리고 2008년 1월에는 후지쯔 본사에서 반도체 사업 부문(판매 부문을 제외한 전 부문)을 분리하겠다고 밝혔습니다. 3월 21일에는 반도체 자회사인 후지쯔 마이크로 일렉트로닉스 주식회사가 출범합니다. 이로서 후지쯔 엘렉트로닉스는 후지쓰 본체의 자회사에서 후지쯔 마이크로 일렉트로닉스의 자회사가 되었습니다.

 

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후지쯔 반도체 사업의 2007년도 움직임

 

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2007년 전반의 후지쯔 반도체 사업

 

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후지쯔 마이크로 일렉트로닉스 주식회사의 개요. 2008년 2월 12일에 개최된 설명회 자료에서 인용.

 

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후지쯔 마이크로 일렉트로닉스 주식회사의 설립에 따른 반도체 사업 태세. 2008년 2월 12일에 개최된 설명회 자료에서 인용.

 

후지쯔가 IBM을 항상 의식하는 기업임을 생각하면 후지쯔 마이크로 일렉트로닉스는 흥미로운 이름입니다. IBM의 반도체 부문은 IBM Microelectronics이기 때문입니다. 이제는 정리했지만.

 

후지쯔 마이크로 일렉트로닉스의 설립 목적은 빠르고 적절한 경영 판단을 가능하게 하고 경영 자유도를 높이는 것입니다. 그 상징과도 같은 것이 수뇌부의 인사로서 대표이사 겸 사장인 오노 토시히코가 후지쯔 본사의 대표 부사장을 겸하며 모회사인 후지쯔에 큰 영향력을 가지고 있었습니다. 이사 겸 부사장인 후지이 시게루는 판매 회사인 후지쯔 엘렉트로닉스의 대표 이사 겸 사장까지 맡고 있어 설계/개발/제조 부문과 판매 부문이 밀접하게 제휴할 수 있도록 구성됐습니다. 이들 경영진은 모두 반도체 사업 경험이 풍부하며, 100% 자회사지만서도 모회사인 후지쯔와 대등한 관계라 할 수 있습니다.

 

 

2008년: 갑작스런 사장 교체와 리먼 쇼크로 입은 거액의 손실

 

그러나 후지쯔 마이크로 일렉트로닉스의 신체제는 불과 3주 만에 붕괴를 시작합니다. 4월 8일에 오노 토시히코 사장이 사퇴를 선언한 것입니다. 후임 사장은 비상근 이사였던 오카다 하루키입니다. 오카다는 구매 부문의 경력이 길지만 반도체 부문의 경험은 없었습니다. 반도체 사업의 아마추어를 사장으로 임명했으니 여러 말들이 나올 수밖에 없었습니다. 반년 후인 10월 29일에는 판매 부문인 후지쯔 엘렉트로닉스의 사장이 오하라 쯔네아키로 교체되는데 이 역시 영업 부문의 경험은 많아도 반도체 영업의 경험은 없었습니다.

 

2008년 9월에는 리먼 쇼크라 불리는 글로벌 금융 위기로 인해 가파른 경기 후퇴가 일어납니다. 반도체 산업도 경기 후퇴의 파도에 휘말리게 됐지요. 후지쯔 뿐만 아니라 대부분의 반도체 장비 제조 업체가 급격한 수주 감소에 휩싸이게 됩니다. 2008년도(2009년 3월)의 후지쓰의 전자 디바이스 사업 매출은 전년보다 26.2% 줄어든 5,876억엔이며, 영업 손익은 719억엔의 적자를 보게 됩니다. 반도체 매출액은 전년 대비 23.9% 줄어든 3,903억엔, 영업 적자는 약 600억엔의 참담한 상태에 빠졌습니다.

 

급격한 매출 감소로 2009년 1월 30일에는 반도체 제조 라인의 삭감을 발표합니다. 후지쯔의 반도체 그룹은 당시 6인치(150mm 웨이퍼)라인을 3개, 8인치(200mm 웨이퍼)라인을 4개, 12인치(300mm 웨이퍼)라인을 2개 가지고 있었습니다. 여기에서 2009년도 말(2010년 3월)까지 6인치 라인과 8인치 라인을 각각 1개씩 줄인다는 것입니다. 게다가 미야기 공장의 2번째 12인치 라인(2동)을 2008년에 손실 처리하는데 이로 인한 특별 손실액은 499억엔에 달합니다.

 

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2008년도 후지쯔의 반도체 사업 상황

 

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2007년~2008년의 로직 반도체 수주액 변화. 2009년 8월 27일의 LSI 사업 전략 설명회 자료에서 인용.

 

 

2009년: 첨단 프로세스의 양산에서 철수

 

그리고 2009년도(2010년 3월)엔 반도체 사업 전략을 크게 변경합니다. 차세대 첨단 로직 반도체를 자사 공장에서 대량 생산한다는 방침을 취소하고, 반도체 제조 하청 기업(파운드리)를 활용해 생산 능력을 유지하는 것입니다. 구체적으로는 40nm 이후의 첨단 로직 반도체 제조를 세계에서 가장 큰 파운드리인 대만의 TSMC에 위탁합니다. 자사 공장에서 제조하는 건 45nm까지로 한정 지으며, 28nm 이후의 다음 다음 세대 반도체 개발은 단독 개발을 취소하고 파운드리인 TSMC와 공동 개발합니다.

 

자사 공장의 양산과 파트너 기업의 활용이라는 지금까지의 전략 New IDM 대신 도입한 새로운 전략을 후지쯔는 FML형 Fab-lite라 부릅니다. 여기서 FML은 후지쯔 마이크로 일렉트로닉스의 약칭입니다. Fab-lite는 팹 라이트라 불리며 자체 공장과 파운드리를 병용해 첨단 반도체 제조의 투자를 축소하고 수요 변화에 기민하게 대응하는 제조 방침을 말합니다. 최첨단 미세 가공이 필요한 반도체 제조 설비 투자 부담이 커지며, 자체 공장에서 일정 수준 이상의 가동률을 유지하지 않으면 영업 수지가 떨어진다는 문제를 해결하기 위해 팹 라이트를 채용하는 반도체 업체가 늘고 있습니다.

 

또 제품 개발은 그동안 공급하던 20종류의 주요 제품을 14종류로 정리하고 나머지 6종류의 제품은 개발을 중지하기로 했습니다. 계속해서 제품을 개발하는 건 앞으로 성장이 가능한 영역, 성장과 수익이 나는 영역, 계속해서 이익이 나올 것으로 예상되는 영역 중 하나에 포함되는 제품으로 한정짓습니다. 또 신규 사업으로 화합물 반도체 사업, 구체적으로는 파워 디바이스용 질화갈륨(GaN) 반도체 사업에 진출하겠다고 발표합니다. 이 파워 디바이스 사업은 매출 0에서 시작해 4년 후인 2013년에는 매출 100억엔, 6년 후의 2015년에는 300억엔을 목표로 하는 야심적인 계획입니다.


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후지쯔 반도체 사업의 2009년도 상황

 

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반도체 제조 전략의 변경. 2009년 8월 27일의 사업 전략 설명회 자료에서

 

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최대 규모의 파운드리 기업인 TSMC와의 협업

 

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제품 개발을 계속하는 쪽과 중단하는 분야

 

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파워 디바이스용 질화 갈륨(GaN) 반도체 사업의 개요

 

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2009년 이후의 사업 수지 목표. 2011년엔 역대 최고의 영업 이익을 목표로.

 

 

2010년~2011년. ARM CPU 코어의 마이크로 컴퓨터를 상품화 

 

반도체를 포함한 전자 디바이스 사업 실적은 2009년도(2010년 3월)전반에 회복돼 후반에는 분기 실적이 영업 흑자로 전환됩니다. 그리고 2010년도(2011년 3월)에는 모든 분기에서 영업 흑자를 냈고, 손익 분기점의 규모가 줄어들게 됩니다. 이는 구조 개혁에 의한 경비의 삭감과 수주 증가가 겹친 결과 흑자를 기록한 것입니다.

 

2010년도의 가장 큰 움직임은 마이크로 컴퓨터에 들어가는 CPU 코어를 자체 코어를 쓰던 것에서 ARM CPU 코어로 변경한 것입니다. 범용 마이크로 컴퓨터용 CPU 코어인 Cortex-M3을 채용한 32비트 마이크로 컴퓨터의 새로운 시리즈 FM3을 2010년 11월에 발표했습니다. 차량용 마이크로 컴퓨터 이외의 32비트 마이컴은 모두 FM3 시리즈에서 충당한다는 매우 적극적인 제품 전개를 표명했습니다. 그 표명대로 11월에 발표된 11종에 이어 2011년 4월에는 52종을 제품화, 9월에는 64개의 제품을 발표했습니다. 2012년 1월에는 210개의 새 제품을 발표합니다.

 

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전자 디바이스 사업의 분기 실적 변화. 2008~2010년

 

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후지쯔 반도체 사업의 2010년도 움직임

 

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ARM CPU 코어인 Cortex-M3를 쓴 범용 마이컴 FM3 시리즈의 개요. 2010년 11월 4일의 신제품 발표회에서.

 

그러나 2011년 3월에 발생한 동일본 대지진의 영향으로 2011년도(2012년 3월) 전자 디바이스 사업은 제1분기부터 영업 적자로 시작했습니다. 이후 태국 홍수로 다시 수요가 줄어듭니다. 결국 2011년엔 수익 갱신은 고사하고 101억엔의 적자를 기록하고 맙니다.

 

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후지쯔 반도체 사업의 2011년도

 

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전자 디바이스 사업의 실적 변화

 

 

2012년에 생산 부문 매각으로 Fab을 줄임

 

2012년도에 들어가면서 반도체 생산 능력을 더욱 줄이려는 움직임이 활발해집니다. 반도체 제조의 전 공정에서는 이와테 공장을 자동차 부품 대기업인 덴소에 매각하고, 후 공정에서는 후지쯔 인테그레이티드 마이크로 기술의 모든 공장을 공정 위탁 기업인 제이 디바이스에 매각합니다.

 

사업 재편성은 제조 부문에 그치지 않고 2013년 2월에 시스템 LSI 사업의 설계 개발 부문을 분리해 파나소닉의 시스템 LSI 설계 개발 부문과 통합한 합작 회사를 설립, 모회사인 후지쯔와 파나소닉이 검토에 들어갔음을 발표했습니다. 이것은 후지쯔 반도체만의 판단이 아니라 모회사인 후지쯔가 사업 재편에 적극적으로 나섰음을 알 수 있습니다.

 

2월 7일에는 후지쯔와 후지쯔 세미컨덕터가 사업 재편성 방침을 발표합니다. 300mm(12인치) 웨이퍼 라인을 갖고있는 미에 공장과 마이컴 아날로그 사업 부문의 매각 대상을 찾겠다는 것입니다.

 

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후지쯔 반도체 사업의 2012년 상황

 

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2013년 2월 7일에 발표한 반도체 사업 재편성 방침

 

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파나소닉과 설립을 검토한 시스템 LSI 사업 통합 회사의 개요. 2013년 2월 7일에 발표한 내용

 

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반도체 사업의 특별 손실/수익의 변화(2006~2012년). 2008년도와 2012년에 사업 재조정에 따른 거액의 특별 손실을 더한 것입니다.

 

 

2013년. 사업 양도의 본격화

 

2013년 2월 7일 발표된 반도체 사업 재편성 방침에 따라 2013년 4월 이후엔 인원 감축과 사업 양도의 움직임이 활발해집니다. 4월 중순에는 2,000명 규모의 조기 퇴직을 모집했고, 계속해서4월 말에는 마이컴 아날로그 사업을 NOR형 플래시 메모리 제조 업체인 스펜션에 매각한다고 발표합니다. 이것으로 직원 천명이 스펜션으로 자리를 옮깁니다. 그리고 11월에는 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스 사업을 미국 Transphorm과 세운 합작 회사로 이관합니다. 2009년 8월에 발표된 신사업인 GaN 사업은 실질적으로 철수하게 됩니다.

 

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후지쯔 반도체 사업의 2013년 상황

 

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마이컴 아날로그 사업 양도 수속. 2013년 4월 30일의 발표 자료.

 

 

2014년 전반. 사업 분할을 계속해서 추진

 

2013년 2월 7일에 발표돼 반도체 업계는 물론 여러 부문의 주목을 모은 후지쯔와 파나소닉의 시스템 LSI 사업 통합 회사는 1년이 지난 2014년 2월이 돼도 기본 합의를 이루지 못했습니다. 두 회사와 일본 정책 투자 은행이 기본 합의에 이른 것은 2014년 4월 23일의 일입니다. 새로운 회사의 설립 계약 체결 시기는 2014년 제1분기, 새 회사의 설립 시기는 2014년도 제3분기로 예정했습니다.

 

2014년 7월 31일에 후지쯔와 후지쯔 세미컨덕터는 반도체 사업의 재조정 방향을 다시 발표했습니다. 그것은 사업 분할과 분사화를 더욱 밀고 나가겠다는 것입니다. 시스템 LSI 사업의 분할은 이미 설명했지만 7월 31일에 설립 계약을 체결한 사실이 발표됐습니다.

 

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후지쯔와 파나소닉, 일본 정책 투자 은행이 기본 합의한 시스템 LSI 사업 통합 회사의 개요. 2014년 4월 23일에 발표한 내용을 정리

 

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후지쯔와 파나소닉, 일본 정책 투자 은행이 설립을 계약한 시스템 LSI 사업 통합 회사의 개요. 2014년 7월 31일에 발표한 내용을 정리. 영업 개시는 2014년 4분기로 연기됐음

 

7월 31일의 발표에선 생산 부문을 2014년 3분기에 모두 분사하기로 결정합니다. 미에 공장의 300mm 전공정 라인은 미에 파운드리 회사가 되며, 아이즈 공장의 150mm 전공정 라인과 미에 공장의 2000mm 라인, FSET(후지쯔 세미컨덕터 테크놀로지)의 200mm라인은 모두 아이즈 파운드리 회사가 됩니다. 아이즈 파운드리 회사는 본사와 200mm 라인 자회사, 150mm 라인 자회사로 구성됩니다.

 

이러한 분사화는 더 이상 독립시킬 걸 남기지 않고 매각이나 양도를 쉽게 수행하기 위한 조직 변경으로 보입니다. 큰 덩어리의 고기를 잘라내기 쉽게 미리미리 선을 긋는 것이라 보입니다.

 

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후지쯔와 후지쯔 반도체가 2014년 7월 31일에 발표한 반도체 사업의 재편성 방침

 

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후지쯔의 2014년 전반 반도체 사업 동향

 

 

2014년 후반 이후. 반도체 기업의 성격이 강해지는 후지쯔의 반도체 사업

 

이제 후지쯔 세미컨덕터 본체에 남는 것은 시스템 메모리 사업 뿐입니다. 그리고 이쯤 되면 후지쯔 세미컨덕터라는 기업이 남아 있을 의미가 별로 느껴지지 않게 되지요. 사업의 주요 부분을 차지하는 것이 판매 회사인 후지쯔 일렉트로닉스가 되기 때문입니다. 게다가 후지쯔 일렉트로닉스는 후지쯔 브랜드의 반도체 외에도 Spansion 같은 일본 이외 회사의 제품이나 후지쯔 그룹의 전자 부품도 취급하는 종합 전자 부품 상사 같은 기업입니다.

 

고객이 반도체와 전자 부품 등을 마련하려 할 때 처음으로 접하는 것은 후지쯔 일렉트로닉스입니다. 이 구조는 2007년에 회사가 설립된 이후 거의 변하지 않았으니 고객 입장에선 안심할 수 있습니다.

 

그렇다면 후지쯔 일렉트로닉스는 후지쯔 세미컨덕터의 100% 자회사가 아니라 후지쯔 본체의 100% 자회사라고 볼 수도 있겠습니다. 그리고 후지쯔 일렉트로닉스의 자회사로 시스템 메모리 사업 회사나 파운드리 회사 등이 있다는 이야기가 됩니다. 어쨌든 현 상황을 바꿀 새로운 재편성은 불가피할 것입니다.

 

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전자 디바이스 사업의 실적 변화. 2000~2013년.

 

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후지쯔 전자가 일본에서 취급하는 브랜드

 

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후지쯔 전자가 일본 외의 국가에서 취급하는 브랜드.

 

소스:

http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20140924_667942.html

http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20141007_670065.html

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