Extreme Ultra Violet - Lithography (극 자외선 - 리소그래피)

EUV는 UV보다 파장이 짧은 자외선(UV)과 X-선의 중간 영역에 있는 전자기파로서,

광선(약 193nm)을 사용하여, 10nm 미만의 반도체도 한 번의 노광으로 생산이 가능하며,

멀티패터닝의 대체 기술로 제안되고 있다.

노광업체인 ASML은 EUV를 적용함에 있어서 광원 출력부족, 웨이퍼 처리량 부족,공정 처리비용 상승 등을 해결해야할 과제로 삼고 있다.

EUV와 함께 주목받고 있는 QPC(Quadraple Patterning Tech)는 기존 DPT(Double Patterning Tech)를 반복하는 방식이다.

인텔, 삼성전자, TSMC 등의 반도체 업체가 사용하고 있는 기술이기도 하다.

기존 QPC와 DPT 장점은 기존의 ArF 장비를 이용해 구현이 가능하다는 점이며, 현재 기술로는 EUV 방식에 비해 생산효율이 좋지만,

10nm 이하의 공정에서는 불가능하다는 의견이 많으며, 공정이 복잡해져 원가 상승을 초래할 가능성이 높기 때문에 EUV가 주목된다.

현재 반도체 업계는 장기적인 광점에서 EUV로의 대체를 지향하는 추세다.

삼성전자만이 유일하게 멀티패터닝 기술의 현재형인 QPT를 발전시켜 10nm 이하 반도체 공정에 성공할 것이라 판단,

이를 적용한 기술 혁신에 주력하고 있다.

기존 이머전 ArF 장비를 바탕으로 공정 기술을 고도화하게 되면 10nm 진입이 가능하다는 판단에서다.

삼성전자와 TSMC의 10nm 기술은 멀티패터닝과 EUV 기술 간 대결이 될 것이다.