(요약 번역 : http://mirian.kisti.re.kr/futuremonitor/view.jsp?record_no=247651&cont_cd=GT)

NASA Ames 연구센터에서는 현재 사용되고 있는 트랜지스터(특히 MOSFET)의 한계를 극복하기 위하여, 지금은 트랜지스터에 밀려 거의 사용되지 않는 진공관의 원리를 현대의 반도체 집적회로 생산기술과 결합하는 방안을 연구하고 있습니다. 다시 말해서, 트랜지스터 대신에 매우 작은 진공관 소자를 집적한 IC칩을 만들겠다는 것이지요. 이를 “진공 채널 트랜지스터”(Vacuum-channel Transistor)라고 합니다.

진공 채널 트랜지스터는 트랜지스터와 진공관의 장점을 합친 물건이 될 수 있습니다. 예를 들면 진공관 소자는 테라헤르츠 영역에서 작동할 수 있지만 트랜지스터는 그렇지 못하거든요. 이 말은, 진공 채널 트랜지스터는 현재의 트랜지스터보다 10배 이상 빠르게 작동할 수 있다는 뜻입니다. 또, 진공관의 단점들은 소자가 미세화되면서 자연스럽게 해결됩니다. 바로 이 점 때문에, 2년 전부터 진공관을 나노 크기로 집적한 IC로 만들어 사용한다는 아이디어가 여기저기서 나오고 있습니다.