Transcend Overclocking Memory "aXeRam"

Transcend(創見, http://www.transcend.com.tw)는 1988년 타이완에서 설립되어 현재 플래쉬 메모리를 주력으로 저장장치 관련 액세서리류에 이르기 까지 총 2000여종이 넘는 제품을 생산, 유통하고 있는 업체이다. 우리나라에서는 대한무역(http://www.memoryworld.co.kr)이 Transcend 제품을 국내에 공급하고 있으며, 이 사용기 역시 대한무역에서 테스트용으로 제공된 제품으로 이루어진 것이다.

Transcend Standard Memory에는 사명을 그대로 브랜드로 사용하는 Transcend 제품군과, JetRam, 그리고 aXeRam 이 있는데, 오버클러킹 용으로 개발, 판매되는 aXeRam 이 지금 테스트하고자 하는 제품이다. 그 중에서도 현재로서는 최 상위 모델인 aXeRam DDR3-1800+ Overclocking Memory로 8-8-8-24 의 타이밍 스펙을 가지고 있다. 이 제품의 정보와 판매가격이 등록된 북미지역 Transcend 사이트에 따르면, Dual kit (1GBx2) 기준으로 세전가격 $236.00에 판매되고 있다.

제품 설명 : http://www.transcend.co.kr/Products/MEMList.asp?srhMemWay=STD&L0No=Transcend&axn=goSearch&LangNo=18&L4No=96

"DDR3-1800" PC3-14400

제품의 스펙에 따라 1,800MHz로 동작 가능하고 이때 메모리의 대역폭은 단순히 수치만을 두고 생각해 보면 싱글 채널일 때 14,400MB/s, 듀얼 채널일때 28,800MB/s 에 이른다. 최신형 Intel Core2 Duo, Core2 Quad계열의 FSB가 1,333MHz 으로 대역폭이 10,656MB/s인 만큼, 오버클러킹용 메모리라는 제품의 분류 답게 사용하는 프로세서의 FSB를 오버클러킹 하여 그에 맞는 충분한 대역폭을 제공해 줄 수 있겠다.

현재 출시되어 국내에서 판매되고 있는 DDR3-1800 급 메모리는 다음과 같다.

(ABC순)
Company Product Timing
(CL-RCD-RP-RAS)		 Voltage
Corsair Dominator DF 7-7-7-20 2.0
G.Skill Pi 8-8-8-21 1.9
GeIL Ultra CL7 7-7-7-28 1.8
GeIL Ultra CL8 8-8-8-28 1.9
OCZ Platinum 8-8-8-27 2.0
Patriot ViperFIN 8-8-8-20 1.9


1.8v에서 8-8-8-24의 타이밍으로 동작하는 Transcend aXeRam 은 타 제품에 비해 상대적으로 낮은 전압에서 평균적인 스펙을 나타내고 있어 주목된다. 특히 제품의 명칭상 1800+라는 표현은 전압이나 타이밍에 있어서 추가적인 오버클러킹이나 사용자의 기호에 맞는 환경으로 값을 설정하는 것이 가능케 해줄 것을 기대하게 한다. 즉, 프로세서 오버클러킹을 하지 않는다면 사용하고자 하는 FSB 수준에 맞게 메모리의 타이밍을 낮춰서 쓸 수도 있다.

Retail Package



패키지에 있어서는 이렇다할 특이점은 없다. 대부분의 별도 포장된 메모리 패키지가 그렇듯이 플라스틱 패키지로 이루어져 있고, 내부에는 약간의 제한된 평생 워런티가 제공된다는 안내문과 두가지 광고 전단지가 포함되어 있다. 약 8000만명이 모국어로 사용하고 전세계에서의 위상이 높아진 한국어로도 워런티 안내문이 한페이지 적혀 있다.

Heatspreader


DDR2, DDR3를 막론하고 현재 판매되고 있는 대부분의 방열판은 기본형으로 3,000mm2 전후 의 표면적을 가진 일반적인 디 자인과 성능을 가고 있다. 물론 최근 출시되는 메모리용 방열판 제품들 가운데는 방열판과 메모리칩 사이의 열 전도 물질을 차별화 하거나, 방열판에 히트파이프를 포함하는 설계를 하거나, 방열판의 면적을 늘리거나, 별도의 쿨러를 이용한 Active Cooling을 선보이는 제품들도 있다.

고클럭으로 발매된 오버클럭용 메모리들은 앞서 언급한 특이한 형태나 설계의 방열판을 많이 채용하고 있는데, Transcend aXeRam 의 경우에도 빗살무늬 형태로 늘어난 방열판을 채용하고 있어 그 표면적이 보통 방열판의 두배가 넘는 7,500mm2에 이른다.


Inside View




방열판을 벗겨낸 메모리의 모습은 그다지 특별할 것은 없다. 방열판 안쪽 면에 열 전도를 위한 써멀패드가 붙어 있고, 메모리는 전형적인 단면 전용으로 제작된 기판으로 1Gb*8 (128MB*8)의 구성으로 이루어져 있다.


보통 다른 고클럭 DDR3 메모리의 경우 Micron D9 칩을 사용하는 사례가 다수 목격되는데, 이 제품의 경우 삼성전자의 모듈이 사용되었다.
[K4B1G0846D]
Samsung Memory, Dram, DDR3 SDRAM
1Gb x8, 8Banks, 1.5V, 5th Gen.

F8이라는 부분에서 이 모듈이 본래 533MHz (DDR3-1066)으로 제조 되었고, 그 때문에 테스트에 사용할 메인보드에서는 레퍼런스 클럭으로 533MHz CL7 을 제시해 주었다. 물론 오버클럭용 메모리 특성상 전수검사를 통해 일정 조건에 만족하는 모듈로만 컴퍼넌트 제작이 되어 크게 신경쓸 일은 아니다.


Testbed

테스트 환경은 DDR3 를 사용하는 플랫폼 가운데 가장 표준적인 환경으로, 인텔 레퍼런스 X38 칩셋 보드에 쿼드코어 프로세서를 사용하고 있다.

Processor : Intel Core2 Extreme QX9650 (3.0GHz, 333 x 9)
Mainboard : Intel DX38BT (AA D85848-503)
Hard disk : Mtron SSD 6035 32GB SATA
Operating System : Microsoft Vista Ultimate K x64 edition

이와 같은 환경에서 메모리를 1,333Mhz에서의 JEDEC 표준 타이밍으로 설정했을 때 측정된 결과값을 기준으로, 두가지 방향으로 테스트를 하였다. 하나는 프로세서의 클럭이 허용하는 한 FSB를 메모리와 동일한 450MHz 까지 오버클럭 하여 메모리의 제 성능을 내도록 하는 구성이고, 다른 하나는 프로세서의 기본 FSB인 333MHz 에서 메모리의 타이밍을 조이는 구성이다.

기준 환경에서 Everest 의 Memory Benchmark 테스트 결과는 Read 7,741 MB/s, Write 6,986 MB/s, Copy 6,979 MB/s, Latency 65.2 ns 를 기록하였다. Everest 에서 메모리 모듈의 인식 내용은 아래 그림을 참고.



Up-to-the-1800MHz

테스트에 사용된 메인보드에서 가장 이상적으로 FSB오버클럭을 하여 1800MHz 메모리를 사용하는 방법은 Reference FSB가 333MHz인 환경에서 프로세서를 450MHz로, 메모리를 1,333MHz로 셋팅하여 총 35%가 오버클럭되도록 하여 1/2 ratio가 유지되면서 프로세서와 메모리가 실질적으로 1,800MHz수준이 되도록 하는 것이다.

하지만 실제 환경에서는 인텔 레퍼런스 보드 특성상 프로세서에 인가되는 전압이 표시전압과 차이가 있고, 쿨링의 한계에 따른 문제로 단시간내에는 450MHz의 안정화에 문제가 있어 430MHz 에서 안정화를 확인하였고, 이때 7배수로 3.0 GHz 를 기록하여 기준 테스트 환경과 CPU 동작 클럭을 맞추어 FSB 및 그에따른 메모리 클럭의 차이만이 비교될 수 있도록 하였다. Everest Memory Benchmark 로 얻은 결과값은 순서대로 9,603 MB/s, 8,973 MB/s, 8,875 MB/s, 54.4 ns 이다.


Down-to-the-CL6

JEDEC표준에 따르면 1,333MHz에서의 타이밍은 9-9-9-24이다. 이러한 High Latency 는 DDR2에 비해 DDR3의 메리트를 상당히 상쇄시켜버리는 결과를 가져왔고, 빠른 타이밍을 갖는 DDR2-800 메모리에 비해서 DDR3 환경은 오버클럭에 있어서도 그간 상당히 불리한 모습을 보여주었다. 물론 이런 배경에는 DDR3의 기본 전압이 1.5v 로 DDR2 에 비해 낮아 전력소모, 발열등의 측면에서 장점도 있기는 하지만, 오버클럭킹 유저들에게는 부족한 모습을 보여준 것은 사실이다.

하지만, 프로세서를 오버클럭하지 않고 사용한다면 메모리를 FSB에 맞게 설정하고 JEDEC의 스펙 설정보다 좀더 나은 메모리 퍼포먼스를 위하여 타이밍을 6-6-6-18 까지 맞추어 보고 테스트 결과를 도출해 보았다. 이때의 결과값은 순서대로 8,119 MB/s, 7,006 MB/s, 7,116 MB/s, 62.8 ns 로 종전의 오버클럭 상태보다는 다소 떨어지지만 기본적인 환경에서보다는 훨씬 나은 모습을 보여주고 있다.


기준환경
860MHz / 8-8-8-24
666MHz / 6-6-6-18


Result

오버클럭용 메모리를 어떤 용도로 어떻게 활용할지는 항상 그렇듯이 유저의 몫이다. 시스템의 한계를 이끌어 내는데 그 가치를 모두 투자할 수도 있고, 튜닝의 끝은 순정이라는 이야기 처럼 주어진 범위 내에서 뜻에 맞게 사용할 수도 있을 것이다.



최근들어 출시된 오버클럭용 DDR3 메모리는 DDR2와 비슷한 수준의 전압으로 동작이 안정화 되고, Latency면에서도 DDR2 에 비해 크게 뒤지지 않는 수준이 되면서 여타 DDR3의 장점들을 얻어낼 수 있는 구성이라는 점이 눈에 띈다.

특히 Transcend aXeRam DDR3-1800+의 경우에는, 1.8v 에서 8-8-8-24로 동작하여 DDR3 의 장점인 저전압의 가치를 재발견토록 해 주었다는 점에서 의미가 있다고 하겠다.
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