샌디아 국립 연구소의 지원을 받은 맥스웰 랩이라는 기업에서 레이저로 반도체를 냉각하는 기술을 개발하고 있습니다.

 

이 기술은 초 고순도 갈륨비소(GaAs)로 만든 특수 방열판을 사용하는데, 특정 파장의 간섭성 레이저 광선을 여기에 집중하면 온도가 떨어집니다. GaAs의 높은 전자 이동도 덕분에 정확한 위치에서 열이 방출된다고 하네요.

 

또 이렇게 제거한 열을 모아서 광자로 바꿔 전력으로 만들 수 있다고 합니다. 그 효율이 어느 정도인지는 모릅니다.

 

설명만 보면 그럴싸하지만 초 고순도 GaAs 웨이퍼를 생산하려면 분자선 에피택시(MBE)나 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)과 같은 복잡한 기술이 필요합니다. 현재 GaAs로 만든 200mm 웨이퍼는 5000달러에 달한다고 하네요. 평범한 실리콘 웨이퍼는 5달러에 불과하지요. 또 GaAs 트랜지스터를 기존 실리콘 칩에 사용하려면 3D 직접이나 웨이퍼 본딩을 써야 하는데, GaAs 웨이퍼만큼은 아니지만 비싼 기술입니다.