일반적인 DRAM 메모리는 100도 이하에서 작동하며, 이보다 더 높은 온도에선 데이터가 손실됩니다. 온도에 매우 민감한 전자를 움직여 저장하며, 온도를 너무 높이면 전자를 제어할 수가 없습니다. 

 

미시간 대학의 연구팀은 600도 이상의 고온에서 작동하는 메모리 아키텍처를 개발했습니다. 배터리에서 발견된 특성을 사용해 데이터를 저장하는 것이 특징인데요. 메모리 내부의 두 층, 탄탈륨 산화물 반대체와 금속 탄탈륨 반도체 사이에서 음전하 산소 전화가 움직여 저장됩니다.  

 

여기에서 산소 원자는 세개의 백금 전극을 통해 장벽처럼 작동하는 고체 전해질 사이를 오갑니다. 그래서 원자가 움직이는 방향이나 시점을 제어해 데이터의 변화를 기록할 수 있습니다. 다만 최소 작동 온도가 250도로 높은 편이라, 일반적인 환경에서 사용하려면 히터가 필요합니다. 대신 고온에서 작동하고, 강유전체 메모리나 다결정 백금 전극 나노갭보다 전력 효율은 우수합니다.