TSMC는 앞으로 3년 간 100억 달러를 투자해 신형 공정을 개발합니다. 2nm는 아직 갈 길이 많이 멀지만, 작년에 큰 진전을 이뤘다고 발표한 바 있습니다.
이제는 2nm 공정이 연구 개발 단계에 정식으로 들어갔으며, 테스트 캐리어의 설계와 마스크 생산, 시험 생산 쪽으로 나가고 있습니다.
TSMC는 2nm에서 FinFET를 포기하고 GAA 게이트 어라운드를 도입합니다. 삼성은 이보다 더 공격적이라 3nm에서 GAA를 쓰지만 두 회사의 GAA는 구조가 다르기에 단순 비교는 어렵습니다.
또 EUV 노광 역시 더 발전되야 합니다. 지금의 EUV로는 해결해야 할 점이 많기에 2nm 노드에서 EUV 공정 개선을 중요한 목표로 삼고, 노광 품질과 효율을 개선해 나갈 거라고 합니다.
tSMC 2nm는 2023년에 시험 생산, 2024년에 양산할 계획을 갖고 있습니다.