스냅드래곤 8cx의 웨이퍼 사진입니다. 다들 알고 계시겠지만 TSMC 7nm 공정으로 만들었지요.
위아래로 36개, 좌우로 22.2개의 칩이 있습니다. 300mm 웨이퍼에서 이렇게 잘라낸다면 112제곱mm 크기의 다이가 나옵니다. 112제곱mm는 높이 8.3mm, 너비 13.5mm입니다. 1장의 웨이퍼에서 532개의 다이가 나옵니다.
| Die Size and Transistor Counts | |||||
| AnandTech | Process Node | Die Size (mm) |
Die Area (mm2) |
Tr | Density (MTr/mm2) |
| Snapdragon 8cx | 7nm TSMC | 8.3 x 13.5 | 112* | > 5.3b < 10.6b |
> 56.4 < 94.6 |
| Snapdragon 845/850 | 10LPP Samsung | 94 | 5.3 b | 56.4 | |
| Snapdragon 835 | 10LPE Samsung | 72.3 | 3.0 b | 41.5 | |
| Kirin 980 | 7nm TSMC | 74.13 | 6.9 b | 93.1 | |
| Kirin 970 | 10nm TSMC | 9.75 x 9.92 | 96.72 | 5.5 b | 56.9 |
| Kirin 960 | 16nm TSMC | 10.77 x 10.93 | 117.72 | 4.0 b | 34.0 |
| Apple A12 Bionic | 7nm TSMC | 9.89 x 8.42 | 83.27 | 6.9 b | 82.9 |
| Exynos 9810 | 10LPP Samsung | 10.37 x 11.47 | 118.94 | ? | ? |
| 8-core Ryzen | 14nm GloFo | 22.06 x 9.66 | 192 | 4.8 b | 25.0 |
| Skylake 4+2 | 14nm Intel | 13.31 x 9.19 | 122 | 1.75 b | 14.3 |
| *Upper Bound | |||||
