삼성이 10nm FinFET 공정의 SoC를 대규모 양산한다고 발표했습니다. 업계 최초로 10nm 공정 파운드리를 시작한 것이지요. 새로운 공정의 SoC는 성능이 27%, 소비 전력은 40% 개선된 것이 특징입니다.
1세대 10nm LPE 공정은 3D 트랜지스터에 추가 개선 공정이 들어간 것으로 30%의 면적 효율을 높였다고 합니다. 2세대 10nm LPP도 개속해서 연구해 내년 하반기에 대규모 생산될 것이라고 하네요.
참고/링크 | https://news.samsung.com/global/samsung-...technology |
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삼성이 10nm FinFET 공정의 SoC를 대규모 양산한다고 발표했습니다. 업계 최초로 10nm 공정 파운드리를 시작한 것이지요. 새로운 공정의 SoC는 성능이 27%, 소비 전력은 40% 개선된 것이 특징입니다.
1세대 10nm LPE 공정은 3D 트랜지스터에 추가 개선 공정이 들어간 것으로 30%의 면적 효율을 높였다고 합니다. 2세대 10nm LPP도 개속해서 연구해 내년 하반기에 대규모 생산될 것이라고 하네요.