삼성이 업계 최초로 10nm 급 공정으로 8Gb LPDDR5 DRAM 메모리 개발에 성공했습니다. 최대 6400Mbps 이상의 전송 속도로 기존의 LPDDR4X 4266Mbps보다 1.5배 빠릅니다. 그래서 총 대역은 51.2GB/s.
6400Mbps의 구동 전압은 1.1V, 5500Mbps는 1.05V입니다. 여기에 전력 사용을 줄이기 위해 애플리케이션마다 동작 속도를 다르게 하는 액티브 모드, 0으로 덮어쓰지 않도록 막아주는 기능을 탑재.
현재 8Gb LPDDR5 칩을 사용한 프로토타입 8GB LPDDR5 DRAM 패키지의 테스트와 검증을 마치고 조만간 양산을 시작할 계획.