삼성이 11nm FinFET 저전력 공정인 11LPP(Low Power Plus)를 발표했습니다. 사실 이건 완전히 새로운 건 아닙니다. 14nm와 10nm의 융합과도 같죠. 10nm BEOL(백엔드 공정)을 써서 칩의 면적을 줄이고, 다른 부분은 14nm LPP 공정의 요소를 그대로 사용합니다.
삼성은 2016년 10월이 10LPE(10nm Low Power Early)를 내놓았으며 지금은 10LPP(10nm Low Power Plus)를 생산할 준비를 하고 있습니다. 그러나 여전히 14nm가 주류입니다. 다음 단계에선 14LPU, 10LPU 같은 새로운 버전을 내놓습니다.
11LPP는 14nm와 10nm 사이의 빈 자리를 채워주며, 14LPP보다 성능 향상 15%나 소비 전력 절감 10%를 구현하고, 트랜지스터 밀도를 높여줍니다. 2018년 상반기에 생산.
그 외에 9nm, 8nm, 7nm, 6nm, 5nm 공정을 준비 중이며 7nm의 7LPP에선 EUV를 사용합니다. 2018년 하반기에 시험 생산. 삼성은 2014년 이래 EUV를 썻 20만장의 웨이퍼를 만들어 나름대로 경험을 쌓았다고 보는 듯. 256Mb SRAM은 수율이 80%까지 올랐습니다.
| Samsung | |||||
| 14LPP vs 28LPP |
10LPE vs 14LPE |
10LPE vs 14LPP |
10LPP vs 10LPE |
11LPP vs 14LPP |
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| Power | 60% | 40% | 30% | ~15% | ? |
| Performance | 40% | 27% | >10% | ~10% | 15% |
| Area Reduction | 50% | 30% | 30% | none | 10% |
까마귀
