삼성은 ISSCC에서 LPDDR5의 속도를 12.7GT/s로 높였다고 발표했습니다. 이를 위해 DRAM 칩에 4상 자체 교정과 AC 결합 트랜시버 이퀼라이제이션을 추가했는데, 이를 LPDDR5 울트라 프로 DRAM이라 부릅니다.
여기에 사용한 메모리 칩은 5세대 10nm 공정으로 만들었으며 표준 전압 1.05V로 구동하는 16Gb 용량의 칩입니다. 전에 32Gb 짜리도 나왔으니 용량은 그리 높은 편은 아닙니다.
4상 자체 교정 루프는 4개의 내부 클럭 위상(0, 90, 180, 270도)이 고속 메모리 인터페이스에서 적절하게 정렬되도록 하는 솔루션입니다. LPDDR5X 메모리의 클럭 신호는 분할/분산되어 4개의 위상을 만들어 여러 속도로 데이터를 전송하는데, 위상 사이의 불일치가 성능을 떨어트릴 수 있습니다. 교정 루프는 각 위상을 측정하고 오프셋을 보정합니다.