삼성이 중국에서 개최한 파운드리 포럼 2021을 통해 앞으로의 공정 로드맵을 공개했습니다.
삼성은 GAA(Gate-All-Around) 혹은 MBCFET(멀티 브릿지 채널 전계 효과 트랜지스터)를 사용하는 3nm 공정의 계획을 변경했습니다. 3nm의 첫 버전인 3GAE(3nm 게이트 올 어라운드 초기 버전)이 예상보다 1년 늦게 양산되지만, 그마저도 내부에서만 사용합니다. 그 후속인 3GAP(3nm GAA 플러스)는 2023년에 양산이 목표입니다.
대신 FinFET 기반 5LPP, 4LPP가 새로 추가됐습니다. 각각 올해와 내년에 대량 양산됩니다. 4LPP까지는 FinFET 기반이라 고객들이 도입하기 쉽습니다. 그리고 5LPE와 5LPP의 빌도 향상과 성능에 대해서는 구체적으로 언급했으나 4LPP는 전력과 성능 향상이 있다고만 썼습니다. 아주 큰 변화가 없어서 그럴수도 있습니다.