MIT가 2차원 재료를 써서 차세대 트랜지스터를 만드는 기술을 개발했습니다.
3D 트랜지스터에 3D 적층도 있는데 갑자기 왠 2차원 재료인가 했더니, 실리콘 대신 원자 1개 정도의 매우 얇은 결정 시트인 2차원 재료를 써서 만들기에 2차원 트랜지스터라고 합니다. nm 단위인 실리콘보다 전자 전도가 쉽다는 장점이 있으나, 결정 구조를 유지하면서 2차원 재료를 실리콘 웨이퍼 위에 성형해야 하기에 만들기가 어렵습니다.
여기에선 실리콘이나 다른 재료를 쓴 웨이퍼 위에 2차원 재료로 작은 트랜지스터를 만드는 방법을 개발했습니다. 결정을 이루는 핵이 들어가는 작은 포켓 패턴을 웨이퍼 전체에 형성시키는 마스크를 씌워, 원자 가스를 그 위에 뿌렸을 때 결정 핵이 포켓 안에 둘러싸여 원자가 모이도록 했습니다.
이 방법을 응용해 실리콘보다 전기가 잘 흐르는 전이 금속 칼코게나이드라는 2차원 재료를 써서 간단한 기능을 갖춘 트랜지스터를 만들었습니다. 또 실리콘 웨이퍼에 패턴 마스크를 씌우고, 서로 다른 2차원 재료 2개를 사용해 매우 얇은 2층 단결정 구조를 만들 수도 있었습니다.
상업성 있는 공정을 위해서는 CVD라 하는 증착기법을 쓰는데, CVD로 완성된 시트를 식각하는 것이 아니라 만들어진 마스크 안에서 증착하는 방법을 썼네요.
이러한 2D 반도체의 현재 가장 큰 문제는 전기적 컨택입니다. 3차원 물질처럼 단순히 붙인다고 전기가 통하는 녀석들이 아니어서, 이렇게 성장된 TMD가 금속 전극과 전기적으로 잘 불량 없이 연결될 수 있게끔 기술이 개발되는 것이 큰 과제입니다.