일본 국립 재료 과학 연구소(NIMS)의 연구팀은 전자 정공 이동성이 뒤어난 다이아몬드 전계 효과 트랜지스터(FET)를 연구하고 있습니다. 전저 정공 이동성이 높으면 전도 손실이 줄어들고 작동 속도가 빨라진다는 장점이 있습니다.
여기에선 게이트 절연체에 일반적인 산화물 재료 대산 단결정 육각형 질화붕소(h-BN)을 사용했습니다. 흑연 게이트 전극과 다이아몬드 기판으로 구성됩니다. 또 이 FET를 아르곤 가스로 밀봉하고 적층 처리에 공기와의 직접 접촉을 막았습니다.
이 다이아몬드 FET는 산화물 게이트 절연체를 사용하는 기존의 FET보다 5배, GAN이나 SiC p-채널 fET보다 20배 뛰어난 정공 이동성을 지닙니다. 그래서 채널 손실은 1/120으로 줄어듭니다.