MIT 엔지니어들은 실리콘 회로 위에 원자 3개 두께의 얇은 트랜지스터를 증착해 작동시키는데 성공했습니다.
여기에선 8인치 실리콘 웨이퍼에 균일한 두께의 2D TMD(Transition Metal Dichalcogenide) 층을 올렸는데요. 실리콘 위에 추가 트랜지스터를 올리면서 회로의 밀도가 더욱 높아지게 됩니다.
CMOS 웨이퍼 위에 2D 레이어를 성장시키거나 증착하려면 600도 이상의 온도가 필요하지만, 실리콘 회로는 400도 이상에서 고장이 납니다. 여기에선 서로 다른 온도에서 작동하는 2개의 채임버로 증착시켜 이 문제를 해결했습니다.