컴퓨터 / 하드웨어
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컴퓨터와 하드웨어, 주변기기에 관련된 이야기, 소식, 테스트, 정보를 올리는 게시판입니다.
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삼성전자, 3D DRAM 로드맵 공개, 적층형 DRAM
삼성이 앞으로 몇 년 안에 3D 구조로 적층한 DRAM 메모리를 내놓겠다고 로드맵을 공개했습니다. 1세대 sub-10nm 공정부터 수직 채널 트랜지스터를 쓴 DRAM을 출시할 예정입니다. 수직 채널 트랜지스터 VCT는 일종의 FinFET로, 전도 채널을... -
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삼성이 개발 중인 메모리 제품들
삼성 반도체 기고문인데 대충 뭐가 나올지 알 수 있어서 올려봅니다. HBM3E 샤인볼트(Shinebolt) 현재 AI용 메모리로 주목받고 있는 ‘HBM3E’는 12단(적층) 기술을 활용해 최대 1,280GB/s의 대역폭과 최대 36GB(기가바이트)의 ... -
저장 밀도를 높이는 3D DRAM 구조
Lam 리서치에서 SEMulator3D 소프트웨어를 사용해 3D DRAM 아키텍처를 시뮬레이션했습니다. 스케일링/레이어 적층/캐패시터와 트랜지스터 축소, 셀 사이의 연결/TSV 구축 등의 문제를 이 시뮬레이션으로 검증하는 것이 목적입니다. DRAM ... -
SK하이닉스 10나노급 5세대 DDR5, 세계 최초로 데이터센터 호환성 검증 돌입
SK하이닉스는 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노급 5세대(1b) 기술 개발을 완료하고, 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 ‘인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램(The Intel Data Center Certified memory program)&rsqu... -
삼성, AI 슈퍼컴퓨터용 샤인볼트, 플레임볼트 상표를 등록
삼성이 AI 슈퍼컴퓨터에 사용할 DRAM 메모리로 추측되는 샤인볼드, 프레임볼트, 스노우볼트 등의 상표를 출원했습니다. -
삼성전자, 업계 최선단 12나노급 D램 양산
삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작하고, D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했다. * 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미함 삼성전자 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용... -
2분기 DRAM/낸드 메모리의 가격이 더 떨어질 수 있음
DRAM 메모리와 낸드 플래시 메모리의 생산이 줄어들었으나, 수요가 그보다 더 많이 줄었기에 일부 제품의 가격이 더 떨어질 거라고 합니다. DRAM은 13~18%, 낸드 플래시는 8`13% 떨어집니다. PC, 서버, 모바일 DRAM이 전체 dRAM 소비의 85... -
네오 반도체, 3D X-DRAM 기술 발표
네오 반도체가 세계 최초의 3D 낸드 DRAM 셀 어레이인 3D X-DRAM 기술을 발표했습니다. 캐패시터리스 플로팅 바디 셀 기술을 써서 3D 낸드와 비슷하게 DRAM 셀 구조를 구축했습니다. 3D 낸드와 같은 공정으로 생산하며, 비트라인의 구멍을... -
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SK하이닉스, 인텔에 차세대 1b D램 검증 절차…양산 초읽기
인텔은 다음 달 SK하이닉스의 10㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m)급 5세대(1b·12나노) 서버용 D램에 대한 호환성 검증 절차에 들어갈 것으로 보인다. 호환성 검증은 인텔의 중앙처리장치(CPU)에 제품을 적용할 수 있다는 인... -
올해 서버 메모리의 출하량이 모바일을 추월한다고 예측
트렌드포스는 2023년에 출시되는 서버 메모리의 용량이 모바일 메모리를 넘어설 것이라고 예측했습니다. 서버 DRAM의 수요는 계속해서 늘어나는 반면, 모바일 DRAM은 작년부터 공급 과잉 상태였습니다. 또 서버는 갈수록 대용량 메모리를... -
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SK하이닉스, D램 공정사고... SK트리켐 하이K 재료 품질 이슈
SK트리켐의 지르코늄(Zr)계 하이K 물질 품질 문제로 SK하이닉스가 이달 D램 웨이퍼 생산 공정에서 일부 차질이 빚어졌던 것으로 17일 확인됐다. SK트리켐이 공급한 물질에 불순물이 섞여 있었던 것. 이로 인해 수 대의 SK하이닉스 관련 생... -
3분기 전세계 DRAM 매출 30% 감소, 주요 제조사가 감산 시작
2022년 3분기 전세계 DRAM 산업 매출이 전분기 대비 28.95 줄어든 181억 9천만 달러를 기록했습니다. 이는 2008년 세계 금융 위기에 이어 두번째로 큰 감소폭입니다. DRAM 메모리 시장은 가전제품의 수요가 줄어들면서 고정 거래 가격이 ... -
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역대급 메모리 가격 폭락을 거치고 더 떨어지긴 힘들 듯
11월과 12월은 전통적으로 매출이 많은 시기이지만, 조립 시장의 부품 가격은 계속해서 떨어지고 있습니다. 하지만 DRAM 메모리 제조사가 생산량 확대와 공정 전환에 소극적인 자세를 보이면서, DRAM 메모리 가격이 더 떨어지긴 힘들어 보... -
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DRAM 메모리 올해 최저가 수준까지 떨어짐, 재고도 잔뜩
DRAM 가격이 계속해서 떨어지고 있습니다. 올해 최고점과 비교하면 30% 가량 떨어졌다고 합니다. 8GB DDR4의 경우 7월에 2.7달러, 4GB는 2.18달러로 전분기 대비 10%, 전년 대비 30% 가량 떨어졌습니다. 무엇보다 큰 문제는 재고를 소화할... -
삼성전자, 업계 최고 속도 GDDR6 D램 개발
삼성전자가 업계 최고 속도인 ’24Gbps GDDR6(Graphics Double Data Rate) D램’을 개발했다. 삼성전자 ’24Gbps GDDR6 D램’은 EUV(극자외선) 노광 장비를 활용한 3세대 10나노급(1z) 공정을 기반으로 한 16Gb 제품... -
22년 3분기 메모리 가격은 최대 10%까지 하락
DRAM 메모리 공급사는 재고를 소진하고 수요를 이끌어내기 위해 메모리 제품의 가격을 더 낮출 용의가 있습니다. 올해 3분기에 최대 8% 가량 떨어지리라 예상했으나 이제는 그 낙폭을 10%까지도 보고 있다네요. -
마이크론, 대만에서 EUV 생산
마이크론은 미국 기업이지만 일본, 싱가포르, 중국, 대만에도 팹이 있습니다. 그리고 대만 타이중에서 올해 말까지 EUV 리소그래피 공정 업그레이드를 진행합니다. DRAM용 1-감마 공정으로 본격적인 생산이 아니라 연구 개발이 목적입니... -
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삼성전자, 6세대 D램 조기개발…'퀀텀점프' 노린다
삼성전자가 오는 6월까지 10나노 초반대 D램인 1c(6세대·11~12나노급) 개발을 성공적으로 마무리한다는 목표를 설정한 것으로 확인됐다. 1b(5세대·12~13나노급) 개발에 대한 '기술력 우려'를 깔끔히 지우는 동시에 ... -
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'나노의 벽' 부딪힌 삼성… "차세대 D램 개발 궤도수정"
삼성전자에서 반도체 선행개발을 담당하는 반도체연구소는 최근 10나노 초반대 D램인 1b에 대한 연구개발(R&D)을 중도 포기한 것으로 확인됐다. 지난해 하반기 1b D램 전담팀(TF)까지 신설해 프로젝트에 대한 의지를 보였지만 결국 ... -
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SK 하이닉스, DRAM 메모리의 결함 인정
SK하이닉스 "D램 불량으로 2조원 손실, 사실 아냐"…수사 의뢰 https://www.yna.co.kr/view/AKR20210608143300003?section=search 7일 밤 블라인드 등 일부 커뮤니티 사이트에는 SK하이닉스가 생산한 D램에서 불량이 발생해 웨이퍼 ...