컴퓨터 / 하드웨어
:
컴퓨터와 하드웨어, 주변기기에 관련된 이야기, 소식, 테스트, 정보를 올리는 게시판입니다.
-
Read More
TSMC N3, SRAM 확장이 많이 어려워짐
TSMC의 공정별 SRAM 비트 셀 크기입니다. N5와 비교해서 N3의 SRAM 밀도는 거의 같습니다. TSMC는 N3B의 SRAM 밀도가 N5의 1.2배라고 주장했으나 실제로는 5% 정도만 차이나는 것으로 보입니다. 물론 로직 부문의 밀도는 많이 향상되지만... -
Read More
SRAM의 공정 미세화 한계, 3nm에서 크기가 거의 줄어들지 않음
TSMC가 3nm 공정인 N3B와 그 변형 공정인 N3E에 대해 설명했습니다. N3E의 경우 고밀도 SRAM 셀의 크기가 N5와 똑같습니다. N3B의 경우 SRAM 셀이 조금 줄어들긴 하지만 5%에 불과합니다. N3B와 N3E의 트랜지스터 스케일링은 1.6x와 1.7x... -
Read More
MRAM 개발 현황: 삼성/IBM/TSMC/GF
임베디드 MRAM 개발 로드맵. 세로축은 동작 클럭, 가로축은 연도. 2020년 6월에 VLSI 심포지엄에서 글로벌 파운드리가 발표한 슬라이드에서 발췌. SoC (System on a Chip)나 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러(MCU) 등의 CMOS 로직은... -
Read More
IMEC, 세계 최소 SRAM 칩 개발
IMEC가 세계에서 가장 작은 SRAM을 개발했습니다. 삼성이 올해 2월에 발표한 6T 256Mb SRAM은 면적이 0.026제곱mm지만, IMEC가 Unisantis와 함께 개발한 6T 256Mb SRAM은 면적이 0.0184~0.0205제곱mm입니다. 삼성 SRAM보다 24% 작지요. 여... -
Read More
7nm의 SRAM 기술을 TSMC와 삼성이 발표
c차세대 제품을 위한 고성능 대규모 SoC (System on a Chip)의 제조 기술이 급속히 미세화하고 있습니다. 차세대에 해당되는 건 7nm 세대의 CMOS 로직 기술입니다. 양산 스케줄은 현재 2018년으로 잡혀 있는데, 원래 7nm 세대의 양산은 20...
