컴퓨터 / 하드웨어
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컴퓨터와 하드웨어, 주변기기에 관련된 이야기, 소식, 테스트, 정보를 올리는 게시판입니다.
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IMW 2022: 차세대 마이크로 컴퓨터의 장수명 저항 변화 메모리
임베디드 플래시 메모리는 40~28nm 공정이 한계입니다. 메모리 기록(프로그램)과 삭제에 높은 전압이 필요하다보니, 메모리 셀의 크기를 줄이기가 힘들고, 22nm 이후 공정에선 FinFET 같은 3D 구조가 보편화되면서 기존의 평면 MOS FET과 ... -
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IMW 2019: 인텔의 고속 대용량 메모리 옵테인을 추격하는 기술들
반도체 메모리 기술 학회, 국제 메모리 워크숍(2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW 2019))이 미국 캘리포니아 주 몬타레이에서 2019년 5월 12일~ 15일에 개최됐습니다. 반도체에 특화된 학회라 세계 최초, 세계 최대, 세... -
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22nm 로직의 임베디드 ReRAM과 MRAM을 인텔이 개발
최첨단 SoC와 대형 마이크로 컨트롤러에 탑재되는 임베디드 비휘발성 메모리의 개발이 진행 중입니다. 지금까지 프로세서 코어의 프로그램 코드는 SoC와 마이크로 컨트롤러에 내장된 임베디드 플래시 메모리에 넣었으나, 최근 CMOS 로직의... -
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ReRAM과 MRAM의 적층으로 100Gbit 이상의 대용량
비휘발성이면서도 DRAM보다 용량이 크고, 낸드 플래시보다 빠른 메모리가 '차세대 대용량 비휘발성 메모리'입니다. 이를 실현할 것으로 기대되는 유력한 기술은 3가지. 상변화 메모리(PCM), 저항 변화 메모리(ReRAM), 자기 저항 ... -
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파나소닉, 차세대 ReRAM 기술 개발 상황 보고
파나소닉은 2013년에 세계 최초로 ReRAM을 상용화했습니다. 8비트 마이크로 컨트롤러의 임베디드 메모리에 ReRAM을 도입해, 기존의 임베디드 플래시 메모리와 표준 EEPROM을 겸하는 비휘발성 메모리로 사용했습니다. 제조 공정은 180nm, ... -
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윈본드. 제품 수준의 품질을 갖춘 저항 변화 메모리 개발
대만 윈본드가 제품 수준의 품질을 갖춘 512Kbit의 저항 변화 메모리(ReRAM)를 개발하고 국제 학회 IEDM에서 12월 4일에 개요를 발표했습니다. ReRAM은 차세대 비휘발성 메모리의 후보 중 하나로 DRAM에 가까운 빠른 읽기/쓰기 속도와 전... -
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ReRAM 기반 SSD, 고속, 대용량
Mobiveil과 Crossbar가 ReRAM 기술을 사용한 SSD를 연구 중입니다. ReRAM은 저항 변화 메모리의 줄임말로 차세대 메모리 기술 중 하나로 각광받고 있습니다. 여기에선 크로스바의 저항 변화 메모리에 Moviveil의 SSD 컨트롤러를 조합해 NV...
