컴퓨터 / 하드웨어
:
컴퓨터와 하드웨어, 주변기기에 관련된 이야기, 소식, 테스트, 정보를 올리는 게시판입니다.
-
Read More
삼성, 14nm FinFET 로직과 호환되는 임베디드 MRAM 기술 개발
삼성이 14nm FinFET 공정의 로직과 호환되는 임베디드 MRAM 을 개발해 VLSI 심포지엄에서 공개했습니다. 이건 샘플용 다이인데 128Mbit와 16Mb의 STT-MRAM 매크로입니다. 나중에는 8nm FinFET에도 임베디드 MRAM을 쓸 수 있다고 밝혔습니... -
Read More
IMW 2023 국제 메모리 워크숍에서 발표한 MRAM 제품과 기술
국제 메모리 워크숍(2023 IEEE 15th International Memory Workshop(IMW 2023)이 5월 21일부터 24일 사이에 열렸습니다. 내년에는 서울에서 열린다고 하네요. 낸드 플래시를 제외한 차세대 비휘발성 메모리는 MRAM, PCM, ReRAM 등이 개발... -
Read MoreNo Image
삼성전자, MRAM 기반 인-메모리 컴퓨팅 세계 최초 구현
삼성전자 연구진이 MRAM(자기저항메모리, Magnetoresistive Random Access Memory)을 기반으로 한 인-메모리(In-Memory) 컴퓨팅을 세계 최초로 구현하고, 연구 결과를 영국 현지시간 12일 세계적인 학술지 ‘네이처(Nature)’에... -
Read More
MRAM 개발 현황: 삼성/IBM/TSMC/GF
임베디드 MRAM 개발 로드맵. 세로축은 동작 클럭, 가로축은 연도. 2020년 6월에 VLSI 심포지엄에서 글로벌 파운드리가 발표한 슬라이드에서 발췌. SoC (System on a Chip)나 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러(MCU) 등의 CMOS 로직은... -
Read More
에버스핀, GF 12nm로 MRAM 생산
에버스핀이 글로벌 파운드리와 STT-MRAM의 공동 개발 계약을 맺었습니다. 40nm, 28nm, 22nm에 이어 이번에는 글로벌 파운드리의 12nm FinFET 공정으로 MRAM을 생산합니다. 또 22FDX에서 eMRAM의 초기 생산을 시작했습니다. 글로벌 파운드... -
Read More
글로벌 파운드리, 22FDX에서 eMRAM을 생산
글로벌 파운드리가 22nm FD-SOI(22FDX) 공정에서 임베디드 자기 저항 비휘발성 메모리 eMRAM을 생산한다고 발표했습니다. IoT, 범용 마이크로 컨트롤러, 자동차, 엣지 AI, 저전력 등의 분야에서 활용합니다. 대용량 내장 NOR 임베디드 플... -
Read More
인텔, 1GB의 L4 캐시 실용화를 위한 MRAM 기술 개발
인텔과 IBM은 대규모 마이크로 프로세서의 캐시로 쓰기 위한 STT-MRAM(스핀 주입 자기 메모리) 기술을 개발하고 그 내용을 2019년 12월 9일의 IEDM 2019에서 발표했습니다. 모두 L3와 L4 같은 라스트 레벨 캐시(LLC)를 위한 STT-MRAM 기술... -
Read More
삼성이 1Gbit의 대용량 임베디드 MRAM을 개발
삼성이 IEDM 2019에서 발표한 논문에 나온 1Gbit 임베디드 MRAM의 주요 스펙. 2비트 ECC 오류 정정 회로를 탑재합니다. 삼성전자는 용량이 1Gbit(128MB)로 아주 큰 임베디드 MRAM을 개발하고 IEDM 2019에서 발표했습니다. 마이크로 컨트... -
Read More
인텔, L4 캐시용 STT-MRAM을 데모
인텔이 L4 캐시에 2MB 용량의 스핀 주입 자기 랜덤 액세스 메모리(STT-MRAM)을 넣는 연구를 발표했습니다. STT-MRAM은 하나의 자기 접합과 하나의 트랜지스터로 구성되는 비휘발성 메모리로, 표준 CMOS 기술로 제조 가능하며 속도가 빠르... -
Read More
글로벌 파운드리, STT-MRAM 생산 시작
글로벌 파운드리가 22nm FD-SOI(22FDX) 임베디드 MRAM 비휘발성 메모리의 시험 생산을 시작했다고 발표했습니다. 에버스핀과 함께 개발한 수핀 주입형 자기 저항 메모리 STT-MRAM으로, 전력 사용량이 낮지만 속도는 빠르며 비휘발성이라는... -
Read More
Phison의 새 SSD 컨트롤러, SST-MRAM을 캐시로 사용
Phison이 개발한 신형 SSD 컨트롤러가 에버스핀의 1Gbit SST-MRAM을 캐시로 쓸 수 있도록 지원합니다. SST-MRAM은 낸드 플래시처럼 비휘발성 메모리지만 더 빠르고 수명도 깁니다. DRAM 대신 캐시 메모리로 사용하면 대용량 캐패시터를 ... -
Read More
IMW 2019: 초고속 비휘발성 캐시를 실현하는 차세대 MRAM 기술
IMW 2019 폐회를 알리는 슬라이드 반도체 메모리 기술의 연구 개발 관련 국제 학회인 국제 메모리 워크숍(2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW 2019))가 미국 캘리포니아 주 몬타레이에서 2019년 5월 12일~15일의 일정으... -
Read More
에버스핀, 1Gb 용량의 STT-MRAM 생산
에버스핀이 1Gb 용량의 STT-MRAM(스핀 토크 자기 저항 메모리)을 28nm 공정으로 시험 생산한다고 발표했습니다. 작년에는 286Mb의 STT-MRAM을 생산했고, 이를 토대로 용량을 1Gb까지 올렸네요. 8비트와 16비트 DDR4 인터페이스를 사용하고... -
Read More
22nm 로직의 임베디드 ReRAM과 MRAM을 인텔이 개발
최첨단 SoC와 대형 마이크로 컨트롤러에 탑재되는 임베디드 비휘발성 메모리의 개발이 진행 중입니다. 지금까지 프로세서 코어의 프로그램 코드는 SoC와 마이크로 컨트롤러에 내장된 임베디드 플래시 메모리에 넣었으나, 최근 CMOS 로직의... -
Read More
삼성, 고속 비휘발성 메모리 eMRAM 양산 시작
삼성이 28nm FD-SOI 공정을 사용해 eMRAM(자기 랜덤 액세스 메모리)의 양산을 시작했다고 발표했습니다. eMRAM은 낸드 플래시나 NOR 플래시와 다르게 데이터 기록 과정에서 삭제 사이클이 필요 없기에 쓰기 속도가 1000배 빠릅니다. 또 ... -
Read More
MRAM의 최신 기술: 삼성, 글로벌 파운드리, 인텔
SoC와 마이크로 컨트롤러(MCU)는 임베디드 플래시 메모리와 SRAM을 대체하기 위해 임베디드 MRAM(자기 저항 메모리)가 개발 중입니다. 12월초 미국 샌프란시스코에서 열린 국제 학회 IEDM(IEDM 2018)에서 이를 연구/개발하는 기업과 대학... -
Read More
인텔이 22nm 세대 로직에 넣을 MRAM을 개발
2층 금속 배선(M2)과 4층 금속 배선(M4) 사이에 기억 소자인 자기 터널 접합(MTJ)을 형성, 그 단면을 전자 현미경으로 관찰 한 사진 인텔은 22nm 세대의 저전력 로직 공정인 22FFL (FinFET Low Power)에 넣을 MRAM (자기 저항 메모리) 기... -
Read More
낸드의 10배, 옵테인의 2배 속도. MRAM SSD
MRAM SSD, 3D Xpoint(옵테인) SSD, 낸드 플래시 SSD(인텔 P3700)의 4K 랜덤 쓰기 속도 비교. MRAM(자기 저항 메모리)를 쓴 스토리지가 엄청난 속도를 과시하고 있습니다. 그것도 구체적으로요. MRAM을 쓴 SSD와 기준 플래시 메모리의 SSD... -
Read More
MRAM을 캐시로 쓰는 19TB SSD
IBM과 에버스핀이 DRAM 대신 MRAM 캐시 메모리를 장착한 19TB 용량의 NVMe SSD를 발표했습니다. MRAM 칩을 따로 만들어서 판매하는 곳은 현재 에버스핀이 유일합니다. 지금은 용량 256Mb지만 올해 말까지 1Gb로 칩의 용량을 늘릴 예정. 글... -
Read More
플래시 마이크로 컨트롤러를 대체하는 MRAM 마이크로 컨트롤러
반도체 제조/생산 기업인 글로벌 파운드리가 만든 40Mbit(5MB)의 마이크로/SoC용 임베디드 MRAM 매크로. 2017년 12월에 국제 학회 IEDM의 숏 코스 강연에서 나온 슬라이드. 마이컴(마이크로 컨트롤러)과 SoC(Sytem on a Chip)에 들어가는...
