컴퓨터 / 하드웨어
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컴퓨터와 하드웨어, 주변기기에 관련된 이야기, 소식, 테스트, 정보를 올리는 게시판입니다.
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삼성전자, ‘삼성 파운드리 포럼 2021’ 개최
삼성전자가 ‘Adding One More Dimension’을 주제로 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’을 온라인으로 개최했다. 삼성전자는 이번 포럼을 통해 ‘GAA 기술 기반 3나노 및 2나노 공정 양산 계획’과 ‘17나... -
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IBM, 세계 최초로 2nm칩셋 제작
GAA 공정을 썼다고 합니다. 삼성 파운드리는 3nm부터 적용한다고 했지요. Peak Quoted Transistor Densities (MTr/mm2) AnandTech IBM TSMC Intel Samsung 22nm 16.50 16nm/14nm 28.88 44.67 33.32 10nm 52.51 100.76 51.... -
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TSMC, 2023년까지 2nm GAAFET 트랜지스터
TSMC는 2022년 하반기에 3nm 노드의 양산을 시작합니다. 하지만 다른 회사들이 쓴다고 밝혔던 GAAFET의 도입은 2023년의 2nm 공정에서나 이루어지게 됩니다. FinFET는 이제 곧 물리적인 한계에 도달하게 되며, 3nm 이후의 트랜지스터에서... -
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삼성이 4nm를 취소, 5nm 이후에 바로 3nm GAAFET 도입?
삼성이 과도기적인 공정인 4nm를 취소하고, 5nm FinFET 이후에 바로 3nm GAAFET로 건너간다는 소문입니다. 삼성 4nm는 2021년에 양산될 예정이었으며, 5nm를 개선한 공정이기도 합니다. 하지만 3nm의 개발이 순조롭기에 중간에 4nm를 끼워... -
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삼성, 2022년의 3nm 공정에 MBCFET 도입
삼성이 2022년에 나올 3nm 공정을 위해 새로운 멀티 브릿지 채널 FET 기술인 MBCFET을 도입합니다. GAAFET에 기반한 기술로 전력 사용량은 50% 절감하고, 성능은 30% 향상됩니다. 실리콘의 크기도 45% 줄어들 것으로 기대됩니다. 트랜지스... -
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삼성 7nm EUV는 하반기에 양산. 2021년에 3nm GAA
삼성이 올해 하반기부터 7nm EUV 공정을 양산하고, 2021년부터는 3nm GAA 공정을 생산합니다. 삼성은 2002년부터 줄곧 GAA(Gate-All-Around) 기술을 개발해 왔습니다. 그리고 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)를 만들어 내 트랜지스터 ...
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