인텔 10nm의 진도가 참 안나가는 가운데 TSMC와 삼성은 7nm 공정의 양산을 시작했습니다. 그리고 그 다음은 5nm지요. TSMC는 5nm의 주요 지표를 공개했는데 그 내용은 썩 낙관적이지 않습니다.

 

내년에 TSMC는 2세대 7nm 공정의 일부 중요하지 않은 레이어는 최초로 EUV 노광 시스템을 넣을 것이라고 합니다. 이 노드의 이름은 CLN7FF에서 업그레이드된 CLN7FF+가 됩니다. 트랜지스터 밀도는 20% 향상, 동일 밀도/클럭에서 전력 사용량은 10% 절감.

 

TSMC의 5nm(CLN5)는 계속해서 ASML Twinscan NXE:3400 사용해여 EUV 공정을 처리합니다. EUV의 적용 범위를 넓히면서 7nm 공정 대비 밀도가 80%가 늘어납니다. 

 

여기까지 보면 겁나 쩔어주는 것 같지만 문제는 실제 클럭 향상은 15%에 그친다는 것입니다. 동일 클럭/밀도에서 소비 전력 절감도 20%입니다. 

 

현재 EUV 장비의 평균 출력은 145W밖에 안되며 몇 주 기다리면 250W가 나오지만, 어느 쪽도 상용화와는 거리가 있습니다. 올해 말에 300W짜리 장비가 나오면 비로소 나아질 것입니다. 또 EUV 재료도 문제가 있습니다. 현재 자외선의 투과율은 83%밖에 안되며 내년은 되야 90%를 넘깁니다.