컴퓨터 / 하드웨어
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컴퓨터와 하드웨어, 주변기기에 관련된 이야기, 소식, 테스트, 정보를 올리는 게시판입니다.
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IBM, 질소가 끓는 온도를 버티는 나노시트 트랜지스터
IBM은 2023 IEEE에서 질소가 끓는 온도인 77켈빈(-196도)에서 거의 100%의 성능 향상을 보이는 나노시트 트랜지스터 개념을 시연했습니다. 나노시트 트랜지스터는 FinFET 다음의 트랜지스터로 3nm 이상의 공정이 가능하도록 돕는 기술입니... -
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인텔, TSMC, 삼성, 트랜지스터 밀도를 2배로 늘린 CFET를 데모
인텔, TSMC, 삼성이 IEEE IEDM 컨퍼런스에서 제각각 CFET 트랜지스터를 시연했습니다. CFET는 CMOS 로직에 필요한 두 종류의 FET를 모두 적층한 3D 트랜지스터로, 세 회사 모두 FinFET에서 나노시트나 GAAFET로 전환할 예정입니다. FinFET... -
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인텔의 새로운 적층형 CFET 트랜지스터 디자인
인텔의 기술 개발 제네럴 매니저가 적층형 CFET 트랜지스터를 내놓을 예정이라고 밝혔습니다. 언제 나올지는 미정이지만 2024년 이후에나 가능할 것 같습니다. Complementary FET(CFET) 트랜지스터는 nMOS와 pMOS를 겹쳐 더 높은 밀도를 ... -
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2nm 미만 공정 실현. 인텔의 스택형 포크시트 트랜지스터 기술
인텔이 포크시트 트랜지스터라는 기술을 특허 등록했습니다. 이를 사용하면 2nm 미만의 공정도 가능하리라 기대하고 있습니다. 현지 가장 발전된 기술인 트라이게이트 디자인에서 트랜지스터를 더 늘리기 위해 3D 수직 적층 CMOS 구조를 ... -
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게르마늄으로 만든 적응형 트랜지스터 설계
컴퓨터 칩 안에는 항상 같은 작업을 수행하는 전자 부품이 있으며, 이들을 조합해 다양한 연산을 처리합니다. 하지만 이 적응형 트랜지스터는 다른 로직을 실행하기 위해 런타임 중 동적인 전환이 가능합니다. 따라서 칩 설계 방식이 바뀌... -
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IBM과 삼성이 VTFET 트랜지스터를 개발
IBM과 삼성이 VTFET(수직 전송 전계 효과 트랜지스터)를 개발했다고 IEDM 컨퍼런스에서 발표했습니다. 트랜지스터를 칩에 수직으로 적층하는 새로운 디자인을 도입한 것이 특징입니다. 기존의 트랜지스터는 트랜지스터가 실리콘 표면에 수... -
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인텔 3D 스택 트랜지스터, 2025년 이후에 30~50%의 로직 확장이 목표
인텔이 IEEE EDM(International Electron Devices Meeting) 2021에서 발표한 내용입니다. 하이브리드 본딩으로 10배 이상의 패키징 인터커넥트 밀도 개선, 30~50%의 트랜지스터 로직 확장, 전력/메모리 기술 혁신 등을 목표로 하고 있습니... -
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차세대 트랜지스터를 위한 CasFET 설계
퍼듀 대학의 연구팀은 실리콘 기반 반도체의 수명을 늘려줄 차세대 트랜지스터인 CasFET(Cascade Field Effect Transistor를 만들었습니다. 기존의 트랜지스터는 On 전류가 높아야 하고 Off 전류는 낮아야 하며, 이 둘 사이를 쉽게 전환할... -
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삼성 3nm의 트랜지스터 밀도는 인텔 7nm보다 떨어짐
10nm 공정 시절, 인텔의 트랜지스터 밀도는 1제곱mm당 1억 600만 개였습니다. 삼성과 TSMC의 두배지요. 7nm에서 인텔은 1억 8천만개, TSMC는 9700만개, 삼성은 9500만개입니다. 5nm에서 인텔은 3억 개를 예상하지만 TSMC는 1.73억개, 삼성... -
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인텔의 나노와이어/나노리본 트랜지스터
인텔은 FinFET를 대체할 새로운 기술에 대해 설명했습니다. 게이트 올 어라운트, 2D 나노 시트를 비롯해 CMOS를 완전히 벗어나는 것까지 포함한 새로운 제조 기술을 연구 중입니다. 인텔은 FinFET가 트랜지스터 밀도와 로직 성능을 높이... -
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7nm의 3세대 라이젠, 트랜지스터 밀도가 낮은 이유
AMD CPU 코어 클러스터의 축소율 계산 AMD는 7nm 공정으로 전환하면서 젠 CPU 코어 클러스터인 Core Complex(CCX)를 14nm 공정 대비 50%로 줄였습니다. 캐시 SRAM 용량이 같다고 가정하면 칩의 면적이 절반이 되고, 트랜지스터의 수에서도... -
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Imec, MoS2 2D 트랜지스터 제작
Imec가 반도체 재료인 MoS2를 사용해 나노 스케일의 2D 트랜지스터를 제작했습니다. 실리콘 외에 다른 재료로 반도체를 만들었다는데 의의를 두면 되겠습니다. MoS2는 다양한 2D 반도체 재료 중 하나로, 0.6nm 원자 3개로 구성됩니다. 이... -
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1.2조개 트랜지스터의 칩을 장착한 CS-1 시스템
40만개 코어, 1.2조개의 트랜지스터, 46,225제곱mm의 칩 https://gigglehd.com/gg/5486730 에서 소개한 초대형 칩을 장착한 CS-1 시스템입니다. 20kW의 전력을 소모하는데, 그 중 4kW는 쿨링팬, 펌프, 라디에이터 같은 쿨링 시스템에 들어... -
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4.2만개의 트랜지스터를 납땜해서 만든 컴퓨터
CPU나 GPU의 규모를 이야기할 때, 보통 몇 십억개의 트랜지스터가 들어갔다고 이야기를 합니다. 이런 세상에서 4.2만개의 트랜지스터로 구성된 컴퓨터라면 별거 아닌 것처럼 보이겠지요. 허나 '메가프로세서'라는 이름의 이 컴퓨...
