인텔, 캘리포니아 대학, 버클리 대학, 로렌스 버클리 국립 연구소가 차세대 로직 디바이스에 대한 논문을 네이처 지에 발표했습니다. 

 

인텔이 개발한 MESO (magneto-electric spin-orbit) 로직 디바이스는 기존의 CMOS (complementary metal-oxide-semiconductors)에 비해 매우 낮은 대기 상태 전력, 5배 낮은 전압, 10~30배 낮은 전력 사용량 같은 특징을 갖고 있습니다. MESO의 로직 디바이스의 스위칭 전압은 3V에서 500mV로 줄어들며, 더 낮추면 100mV까지도 가능하다고 합니다. 

 

BiFeO3를 비롯한 새로 개발한 자기 전기 재료로 상온에서 급격히 움직이는 양자 특성을지닌 재료를 만들어 시제품에 적용했습니다. MESO는 스핀-궤도 변환 효과도 활용합니다. 철의 자성과 전기 전도성을 모두 갖고 있으며, 이를 결합해 전기장이나 자장을 바꾼다는 설명이 있네요.

 

물론 아직은 첫 단계일 뿐이며, 새로운 유형의 컴퓨팅 디바이스와 아키텍처를 쓰기 위한 개발은 더 필요합니다. 한줄 요약하면 상온 양자 재료로 만든 MESO가 앞으로 CMOS를 대체할 가능성이 있다 되겠습니다.