삼성 테크 데이에서 발표된 내용입니다. 사진이나 스크린샷은 허용하지 않는다네요

 

 

DDR5는 6400Mb/s까지 지원하며 8500Mb/s로 오버클럭 가능합니다. 그 다음 세대인 DDR6는 아직 공식 표준이 나오지 않았으나 기본 속도는 12800Mb/s, 오버클럭은 17000Mb/s로 보고 있습니다. 

 

DDR4까지 모듈당 1개의 채널, DDR5에서 2개의 채널이었다면 DDR6는 4개의 채널을 씁니다. 메모리 뱅크의 수는 DDR4보다 4배 늘어난 64개가 됩니다. 

 

GDDR 메모리의 경우 GDDR6+가 24Gbps의 속도를 냅니다. 삼성 1z nm 공정으로 제조하는 GDDR6 18Gbps보다 더 빠르지요. GDDR7도 개발 중이나 날짜는 나오지 않았습니다. 대역폭을 32Gbps로 늘리고 오류 방지 기능을 넣습니다. 

 

2022년 2분기에는 HBM3를 양산합니다.