웨스턴 디지털(샌디스크)와 키옥시아(도시바 메모리)는 5세대 3D 낸드 플래시 기술인 BiCS 5를 발표했습니다. TLC와 QLC에 적용 가능하며 112단까지 적층 가능합니다. 

 

하지만 작년에는 분명 BiCS 5가 128단까지 적층할 수 있다고 밝혔었지요. 지금의 BiCS 5는 기존 제품보다 20% 정도 밀도가 상승했으나, 96단에서 128단이 되면 29.8%까지 상승 가능합니다. 

 

작년 발표에서 128단 플래시 메모리는 하나의 다이에 4 플레인의 설계를 사용하며, 2플레인 설계의 쓰기 속도 66MB/s에서 132MB/s로 늘어납니다. 96단 2플레인의 쓰기 속도는 57MB/s에 불과합니다. 

 

작년 학회 때 발표했던 숫자만큼 늘어나지 못했으니 앞으로 좀 더 개선의 여지가 있어 보입니다.