삼성이 4세대 V-NAND 기술을 사용해 업계 최초의 64층 25Gbit 3D TLC 낸드 플래시 메모리를 양산한다고 발표했습니다.

 

새 낸드 플래시는 셀 어레이를 관통하는 채널 홀의 균일화와 비전도성 물질로 채널 홀을 덮어 셀의 전자 손실을 최소화하고, 기존 48층 모델보다 신뢰성이 20% 높아졌습니다.

 

전송 속도는 현재 나온 낸드 중 가장 빠른 1Gbps, 페이지 프로그램 시간은 500μs, 입력 전압이 3.3V에서 2.5V로 줄어들면서 에너지 효율도 30%로 향상됐습니다.

 

이 낸드 플래시를 탑재한 제품은 UFS, SSD, 외장 메모리 카드 등으로 올해부터 출시될 예정입니다. 삼성은 올해 연말까지 64층 256Gbit 3D TLC 낸드의 생산 비중을 50% 이상으로 높일 예정입니다.