삼성이 7nm EUV 공정을 내년 1월에 양산하고, 5nm 공정의 연구 개발은 이미 끝마쳤다고 합니다.
올해 9월에 화성시의 7nm EUV 공정 라인이 완공되며, 5nm FinFET는 FinFET를 사용하는 가장 마지막 공정이 됩니다.
그 다음인 3nm는 GAA 게이트 어라운드를 사용합니다. MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)로 FinFET를 대체합니다.
컴퓨터 / 하드웨어
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소식
2019.07.05 03:24
삼성 7nm EUV를 내년 1월 양산, 5nm 연구 개발 완료
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좋은 정보 감사합니다. ^_^
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역시 공밀레는 최고군요.
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테브리오님 축하합니다.
팡팡!에 당첨되어 10포인트를 보너스로 받으셨습니다. -
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아니 포팡님...
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어디서는 이미 엑시노스를 EUV 공정으로 양산하기 시작했다고도 하던데, 어느 정보가 맞는 걸까요.
어쨌거나 일본의 이번 수출규제는 삼성전자의 EUV 공정을 정면으로 겨냥한 것 같던데, 내년까지 잘 풀릴지 모르겠네요.
참고 : https://gigglehd.com/gg/5180386
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