DRAM 메모리의 가격이 계속해서 떨어지는 중입니다. DRAM 제조사는 생산량을 줄였지만 가격 하락에 대처하긴 부족하지요. 유일한 방법은 제조 원가를 줄이는 것입니다. 

 

하지만 DRAM의 제조 공정을 1z나 1α nm 급으로 개선하는 데 한계가 있지요. 그래서 EUV 공정을 도입해 DRAM 원가를 절감하려는 움직임이 있습니다. 

 

삼성은 올해 11월부터 EUV 기술을 도입한 1z nm급 DRAM을 양산한다고 발표했습니다. 초기에는 삼성 파운드리와 EUV 설비를 고유하니 물량이 많진 않겠지만, DRAM에 EUV를 도입한다는 데 의미가 있습니다. 

 

SK 하이닉스와 마이크론도 EUV 기술 도입을 검토하는 중이라고 합니다. 1α나 1β nm급부터 도입을 시작하리라 보입니다. 

 

삼성 1z nm는 3세대 10nm 급 공정에 속합니다. 10nm급 공정이지 10nm 공정은 아닙니다. 20nm 노드 후 DRAM 공정을 올리기가 매우 어려워져, DRAM 공정의 선폭은 공정 이름과 괴리가 심해졌습니다. 지금은 1x nm, 1y nm, 1z nm로 구분하는데 1x nm는 16~19nm, 1y nm는 14~16nm, 1z nm는 12~14nm입니다. 그 후에 1α나 1β nm가 나옵니다.