삼성은 올해 초 3GAE(3nm 게이트 올 어라운드 초기 버전) 공정을 사용해 칩을 양산하겠다고 발표했습니다. 하지만 그게 뭔지는 공개하지 않았는데요. 가상화폐 채굴용 ASIC라고 합니다. 

 

게이트 올 어라운드 트랜지스터는 게이트를 4면 모두에서 채널로 둘러 쌌기에 누설 전류가 줄어들고, 채널의 두께를 조정해 트랜지스터 성능과 전력 사용량을 조절할 수 있습니다. 

 

가상화폐 말고 모바일용 SoC는 내년 초에나 생산할 것으로 보입니다. 지금 3nm 공정은 성능과 전력, 수율 등을 알아보기 위해 가상화폐 채굴용 ASIC 같은 소규모 생산에만 사용 중입니다.