삼성은 게이트 어라운드 트랜지스트를 기반으로 해서 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)를 앞으로의 공정에 사용합니다. MBCFET는 기존의 FinFET 공정과 설비가 호환되기에 제조 공정과 생산을 빠르게 확대할 수 있습니다.
7nm 공정과 비교해서 3nm 공정의 코어 면적은 45%가 줄어들고 소비 전력은 50%, 성능은 35% 향상됩니다. 삼성은 공정 경쟁에서 뒤떨어져 있어서 3nm에서 상대를 따라잡기 위해 GAA라는 큰 수를 던졌습니다.
TSMC는 3nm 공정에서도 FinFET를 그대로 사용합니다. 2세대 3nm나 2nm에서 GAA를 도입합니다. 삼성보다 12~18개월 정도 GAA 공정의 도입이 늦습니다.