삼성전자가 게이트올어라운드(GAA) 기술 초격차에 나선다. 2027년 양산 예정인 1.4nm 공정부터 나노시트를 4개로 늘린다는 계획이다.

정기태 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 25일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '반도체 산·학·연 교류 워크샵'에서 "1.4nm 공정에서는 나노시트를 4개로 늘린다"며 "1.4nm 공정은 2027년 양산을 목표하고 있다"고 말했다.

정 부사장은 "(나노시트를 늘리면) 트랜지스터 넓이가 증가해 드라이브를 개선할 수 있다"고 설명했다. 채널을 늘려 전자의 이동을 극대화할 수 있다는 이야기다. 이를 이용하면 반도체 속도도 빨라진다.

출처 : 전자부품 전문 미디어 디일렉(http://www.thelec.kr)