삼성이 2024년 하반기에 3nm 공정(SF3)과 기존 4nm 공정의 고성능 버전인 SF4X를 양산할 예정이라고 밝혔습니다.
SF3는 기존 SF3E를 업그레이드한 것입니다. 가상화폐 채굴 칩을 만드는데만 썼지요. 셀 종류는 유지하면서 GAA 트랜지스터의 나노시트 채널 폭을 늘려서 더 다양한 설계가 가능하도록 합니다. 전력/복잡도를 유지한채로 성능이 22% 향상되거나, 같은 클럭/트랜지스터에서 전력은 34% 줄어들고 로직 영역은 21% 줄어듭니다.
SF4X는 고성능 컴퓨팅을 위한 공정입니다. 10%의 성능 향상과 23%의 전력 감소가 특징입니다.