RX480얘기로 핫한 와중에 다른 주제의 얘기를 가지고 와봤습니다.
인텔과 마이크론이 야심차게 준비한 옵테인에 대한 얘기에요
올해 초에 엔비디아 프렌즈 사이트에 작성하였던 글을 옮겨왔습니다
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인텔-마이크론이 차세대 비활성 메모리기술인 3D 크로스포인트(XPoint) 기술을 발표한 지 벌써 6개월이 지났습니다.
당시 인텔은 3D 크로스포인트 기술을 메모리 기술에 25년만의 새 범주가 만들어졌다고 평가했습니다.
-3D 크로스포인트 기술에 대한 인텔의 홍보영상-
이 새로운 기술은 비휘발성 램으로 스토리지와 D램사이의 속도 간극을 메울 기술로 빠르고, 저렴한 것이 특징이라고 합니다.
D램은 매우 빠르지만 가격이 비싸고 전기공급이 끊기면 기록된 정보가 사라집니다.
그리고 스토리지는 가격은 저렴하며 전기공급이 중단되어도 기록이 지워지지 않는 비휘발성이지만, D램에 비해 속도가 매우 느립니다.
오늘날 보편화된 스토리지중에서 빠르다고하는 낸드플래시 기반의 SSD조차 D램과 비교하면 1500배나 느립니다. 컴퓨터는 주기억장치인 D램에 정보를 저장하지만 휘발성이기 때문에 보조기억장치로 HDD나 SSD가 필요하게 됩니다.
그래서 작업을 처리할 때 스토리지에서 정보를 불러오는데 필연적으로 속도가 느려질 수 밖에 없습니다.
이 한계를 극복하기 위해 스토리지와 D램의 중간 역할을 할 메모리에 대해 많은 연구가 진행되었습니다.
대표적으로 스핀주입자기메모리나 상변화 메모리등 이 주로 연구되어 왔으나 지금까지 상용화되지는 못했습니다.
이러한 와중에 인텔과 마이크론이 공동으로 개발한 것이 바로 이 3D 크로스포인트 기술입니다.
3차원적으로 교차된 전극에 의해 메모리에 데이터를 기록할 수 있습니다.
인텔의 설명에 따르면 "메모리셀은 워드라인과 비트라인 사이에 위치하며 이것이 셀이 개별적으로 주소를 갖게 한다"고 하였습니다.
이 교차된 전극에 전압을 조절하여 전극 사이 메모리셀에 정보를 읽고 기록할 수 있게 됩니다.
이 방식은 적층형에 트랜지스터가 사용되지 않는 단순한 디자인입니다.
기존 D램은 트랜지스터가 메모리 셀마다 있어 비대해지게 되는데 비해 3D 크로스포인트기술에서는 셀렉터가 트랜지스터 없이 메모리셀에 정보를 읽고 쓸 수 있게 되어 기존 D램보다 10배 더 밀집할 수 있었다고 합니다.
성능면에서 기존 낸드플래시의 셀에서 정보를 읽고쓰는데 지연되는 시간이 10마이크로초가 걸리는데 비해 3D 크로스포인트에서는 10나초가 걸린다고 합니다.
또한 기존 낸드플래시의 저장방식과는 달라 쓰기 횟수가 수명에 크게 영향을 주지 않는다고 합니다.
이러한 3D 크로스포인트 기술은 기존 D램과 낸드플래시의 성격을 동시에 지니고 있습니다.
사실 3D 크로스포인트 기술은 아직 많은 정보가 공개되지 않아 어떤 소재가 어떠한 방식으로 설계되었는지는 많은 추측들이 오고가고 있습니다.
특히 차세대 비휘발성 메모리는 오랜기간 연구들이 발표되어 발전 해왔는데 3D 크로스포인트는 어느날 갑자기 나타나 그 정체를 더욱 궁금하게 합니다.
데일리테크에서 3D 크로스포인트 기술의 정체에 대해 다룬 기사에따르면
이 기술에 대한 후보는 D램의 속도에 가까운 낸드플래시중 하나라고 했습니다.
현재까지 연구된 바에 따르면 Re램(저항메모리)과 P램이 가장 근접한 후보입니다.
이 두가지 기술은 인텔과 마이크론이 오랫동안 연구해온 분야입니다.
또한 지금까지 공개된 내용을 과거 특허기록과 비교해볼 때 3D 크로스포인트기술이 P램이라는 증거를 많이 발견했다고 합니다.
그러나 인텔과 마이크론은 3D 크로스포인트에 P램과 Re램의 기술 사용을 부인했습니다.
그에 따라 CBRAM(전도성브릿지메모리)의 가능성에 대해 주장이 제기되었습니다.
http://www.theregister.co.uk/2015/07/29/having_a_looks_at_imtfs_crosspoint/?page=1
2011년 플래시 메모리 서밋에 마이크론이 발표한 자료를 보면 3D 크로스포인트와 거의 일치하는 구조를 확인 수 있습니다.
이 발표에서 해당 구조는 스핀주입형 메모리, 상변화메모리, 저항메모리, 전도성 브릿지 메모리에 응용가능하다고 하였습니다.
2015년 마이크론의 겨울 어날리스트 컨퍼런스에서 발표된 Storage class Memory 슬라이드의 내용을 바탕으로 3D 크로스포인트는 CBRAM 기반이라고 주장하였습니다.
3D크로스포인트에 사용된 기술과 소재에 대한 정보가 아직 알려지지 않았지만 인텔과 마이크론이 작년 말에 샘플을 제작하여 협력사에 배포하였고 올해부터 서버와 클라이언트시장에 3D 크로스포인트 기술을 사용한 Optane 군을 출시하기로 하였으니 곧 더 많은 정보를 얻을 수 있을 것으로 기대됩니다.
Optane 제품군은 PCI-e와 DIMM등 다양한 폼팩터 기반으로 출시되게됩니다.
또한 이를 지원하기 위한 cpu도 7세대 카비레이크가 준비중이라고 합니다.
메모리 기술 발전을 견인하던 인텔이 직접 개발한 만큼 3D 크로스포인트 기술은 빠르게 시장에 안착할 수 있을 것으로 생각됩니다.
메모리 시장이 앞으로 어떻게 변화될지 지켜보면 흥미로울 것 같습니다. (개인적으로 삼성을 비롯한 기존 메모리 제조업체들의 대응과 향방도 무척 기대됩니다.)
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이글을 작성한지 꽤 되었지만 이후로 옵테인에 대한 재료, 기술적인 내용에 대해선 달리 공개된게 없네요.
6월에 옵테인의 성능, 세부 출시 계획정도 공개되었지요
3분기이니이제 조만간 실제 제품을 볼 수있겠습니다
다만 인텔이나 마이크론에서 상당한 해고 소식이 들려오는 것을 보면 상황이 그렇게 좋아보이진 않네요
