마이크론이 176단의 3D 낸드 플래시 메모리를 발표했습니다. 마이크론은 인텔과의 메모리 협력 개발을 중단한 혼자서 낸드 플래시 메모리를 개발해 왔으며, 이번 176단 메모리는 그 독자 개발 플래시 메모리의 2세대에 해당합니다. 그래서 이전에 사용하던 플로팅 게이트 방식에서 차지 트랩 셀로 바꿨지요.

 

 

마이크론은 차지 트랩 방식을 새로 도입하면서 생기는 문제를 해결하기 위해 잠깐 동안만 사용할 목적으로 128단 설계를 만들었고, 이제는 주력 제품인 176단 낸드를 개발했습니다. 88단 데크 2개를 스택해 176단에 512Gbit TLC 다이를 만들었는데, 삼성에 이어 메모리 셀 적층 수 2위입니다.

 

 

플로팅 게이트에서 차지 트랩으로 바꾸면서 전체 두께가 줄었습니다. 176단 다이의 두께는 45µm, 기존 방식의 64단 다이와 거의 같습니다. 16다이 스택 패키지는 1.5mm 미만이며 대부분의 모바일 메모리나 메모리카드에 쓸 수 있는 두께입니다. 기존 마이크론 낸드와 마찬가지로 칩의 주변 회로는 낸드 메모리 셀 스택 아래에 넣습니다. 이론 구조 덕분에 마이크론은 176단 512Gbit 다이가 경쟁사의 다이보다 30% 더 작다고 설명합니다. 

 

 

176단 낸드는 최고 1600MT/s의 인터페이스 속도를 냅니다. 읽기/쓰기 지연 시간은 96단보다 35%, 128단보다 25% 이상 향상됐습니다. 96단 낸드의 UFS 3.1 모듈과 비교하면 전체 워크로드가 15% 늘었다고 설명합니다. 

 

 

현재 이 메모리는 대규모 양산을 시작해 크루셜을 비롯한 일부 제품에 탑재되고 있습니다.