삼성이 Z-SSD의 실물 사진을 공개했습니다. 인텔-마이크론의 3D XPoint 기술과 경쟁할 Z-NAND 기술을 적용했다고 하네요.
4세대 V-NAND, 64층 적층, PCI-E 3.0 x4 슬롯, 용량 800GB, 순차 속도 3.2GB/s, 랜덤 액세스는 75만과 16만 IOPS. 기존의 NVMe보다 레이턴시는 70% 감소.
참고/링크 | http://www.anandtech.com/show/11206/sams...ff-a-z-ssd |
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삼성이 Z-SSD의 실물 사진을 공개했습니다. 인텔-마이크론의 3D XPoint 기술과 경쟁할 Z-NAND 기술을 적용했다고 하네요.
4세대 V-NAND, 64층 적층, PCI-E 3.0 x4 슬롯, 용량 800GB, 순차 속도 3.2GB/s, 랜덤 액세스는 75만과 16만 IOPS. 기존의 NVMe보다 레이턴시는 70% 감소.