중국 시안에서 삼성의 5세대 낸드 플래시 메모리 공장이 생산을 시작했습니다.
90층 이상으로 적층, 256Gb의 용량을 갖춘 5세대 삼성 3D V-NAND를 생산하며, 처음에는 한달 2만개, 이후에는 65000개로 늘려나갈 예정입니다.
웨이퍼 한 장에 700개의 다이가 있다고 치면 65,000개의 웨이퍼는 45,500,000개의 플래시 메모리 칩에 해당됩니다.
한국 평택 공장에서는 6월에 6세대 V-NAND로 건너갈 예정입니다. 100개 이상의 적층으로 256GB, 이후 7세대 공정에선 200층 이상을 쌓아 512Gb 다이를 만듭니다.