10nm 공정 시절, 인텔의 트랜지스터 밀도는 1제곱mm당 1억 600만 개였습니다. 삼성과 TSMC의 두배지요.
7nm에서 인텔은 1억 8천만개, TSMC는 9700만개, 삼성은 9500만개입니다. 5nm에서 인텔은 3억 개를 예상하지만 TSMC는 1.73억개, 삼성은 1.27억개라고 합니다.
인텔이 되게 높은 목표를 갖고 있다는 건 알겠는데, 그러나 저러나 그 공정으로 양산이 가능해야 비교에 의미가 있을텐데 말이죠..
참고/링크 | https://news.mydrivers.com/1/769/769279.htm |
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10nm 공정 시절, 인텔의 트랜지스터 밀도는 1제곱mm당 1억 600만 개였습니다. 삼성과 TSMC의 두배지요.
7nm에서 인텔은 1억 8천만개, TSMC는 9700만개, 삼성은 9500만개입니다. 5nm에서 인텔은 3억 개를 예상하지만 TSMC는 1.73억개, 삼성은 1.27억개라고 합니다.
인텔이 되게 높은 목표를 갖고 있다는 건 알겠는데, 그러나 저러나 그 공정으로 양산이 가능해야 비교에 의미가 있을텐데 말이죠..