네오 반도체의 X 낸드 플래시 아키텍처

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참고/링크	https://www.tomshardware.com/news/new-x-...y-and-cost

네오 반도체에서 X 낸드 플래시 아키텍처라는 개념을 자세히 설명했습니다.

QLC보다 3배 더 빠를 랜덤 액세스, 순차 성능은 읽기 27배에 쓰기 14배라고 합니다. 또 기존의 다이 구성과 비교하면 적층 수는 같아도 두께가 많이 얇습니다.

SLC와 QLC 동시 쓰기 모드를 제공해 쓰기 속도를 확보합니다. SLC 캐시 방식의 경우 캐시가 꽉 차면 성능이 급격히 하락하지만, 이건 SLC와 QLC에 동시 기록하기에 성능이 떨어지진 않는다는군요.

하지만 이러면 수명에 영향을 줄것 같은데, 플레인당 16KB의 페이지 버퍼를 1KB로 바꿔서 내구성을 높였다고 합니다.

또 멀티 비트 라인 쓰기, 멀티 플레인 QLC 프로그래밍(기록), 기록 일시 중단, 멀티 BL 읽기, 싱글 래치 QLC 읽기 등을 비롯한 기능으로 한번의 쓰기 단계에서 여려 플레인에 접근하기에 쓰기 성능이 높다고 합니다.

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