중국 CXMT가 미국의 수출 규정을 위반하는 18nm 공정 3D DRAM 칩을 만들었습니다.
GAA 트랜지스터에 18nm 하프 피치 공정으로 수직 채널 트랜지스터와 4F^2 셀 설계의 3D DRAM을 만들었다고 합니다.
CXMT는 이를 구현하기 위해 육각형 구조의 캐패시터와 결합된 GAA VCT를 제조했다고 주장합니다. 여기에는 새로운 장비가 아니라 현재 보유하고 있는 장비를 썼다고 합니다.
참고/링크 | https://www.semianalysis.com/p/intel-gen...c-cfet-and |
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중국 CXMT가 미국의 수출 규정을 위반하는 18nm 공정 3D DRAM 칩을 만들었습니다.
GAA 트랜지스터에 18nm 하프 피치 공정으로 수직 채널 트랜지스터와 4F^2 셀 설계의 3D DRAM을 만들었다고 합니다.
CXMT는 이를 구현하기 위해 육각형 구조의 캐패시터와 결합된 GAA VCT를 제조했다고 주장합니다. 여기에는 새로운 장비가 아니라 현재 보유하고 있는 장비를 썼다고 합니다.