IBM은 최근 글로벌 반도체 장비 기업 도쿄일렉트론(Tokyo Electron·TEL)과 함께 300mm 실리콘 웨이퍼에 3D 적층 기술을 적용할 수 있는 공정을 세계 최초로 개발했다고 1일 밝혔다.

이는 웨이퍼 분리 과정을 적외선 레이저를 이용할 수 있는 새로운 공정이다. 현재는 실리콘 웨이퍼를 유리로 만들어진 캐리어 웨이퍼에 일시적으로 부착해 생산 공정을 통과할 수 있게 한다. 웨이퍼를 분리하는 과정에서 물리적인 힘이 가해지기 때문에 결함이나 수율 손실이 발생한다.

이처럼 현재는 유리를 사용하고 있으나, 이번 공정에 따라 유리가 필요 없기 때문에 공정이 간소화될 전망이다. 웨이퍼 부착 과정에서 발생할 수 있는 도구의 호환성 문제, 결함도 줄어든다. 얇아진 웨이퍼에 대한 테스트도 가능해진다. 제조 방식도 간소화할 수 있다.