삼성이 ISCC 2021 컨퍼런스에서 더 작고 효율적인 노드를 사용한 칩을 시연했습니다. 256Mb 용량의 SRAM 메모리인데, 3nm 공정에 GAAFET(gate-all-around field-effect transistor) 기술을 사용했습니다. GAAFET는 나노 와이어를 트랜지스터 핀으로 사용하는 보통의 GAAFET와, 나노 시트 형태의 두꺼운 핀을 사용하는 MBCFET(멀티 브릿지 채널 FET)가 있는데 삼성은 후자입니다.
이 칩의 면적은 56제곱mm입니다. 보통의 방식에 비해 전력 사용량이 230mV 더 낮습니다. 양산은 2022년을 예상하지만 아직 실물은 공개하지 않았습니다.
256Mb는 32MB입니다. 이 SRAM을 만들어서 어디에 넣겠다는 건 아니고요. SRAM은 만들기가 비교적 쉽기에 새로운 노드를 시연하는 용도로 많이 만듭니다.