삼성전자가 세계 최초로 5세대 V 낸드를 양산합니다. 세계 최고 수준인 96단 적층의 차지 트랩 플래시 셀로 용량 256Gb를 실현했습니다. 

 

셀 영역의 높이를 20% 낮추는 독자 기술을 사용해 4세대 제품보다 생산성이 30% 높아졌습니다. 또 토글 DDR 4.0 규격을 지원해 4세대 V 낸드보다 속도가 1.4배 빠릅니다. 

 

그 외에도 초고속 저전압(1.8V에서 1.2V) 동작 회로 설계 기술, 고속 쓰기/최단 읽기 응답 대기시간 회로 설계 기술(쓰기 500μs, 읽기 50μs 감소), 텅스텐 원자층 박막 공정 기술을 사용.