인텔이 중국에서 첨단 공정에 대한 설명회를 열고, 현재 10nm 공정 기술을 진행 중임을 밝혔습니다. 그리고 세계 최초로 10nm 공정 웨이퍼도 공개했네요. 

 

 

 

 

 

인텔은 자신의 10nm 공정이 TSMC, 삼성, 그 외에 다른 파운드리보다 성능이 우수하다고 강조했으며, 7nm 공정 기술도 이미 개발이 끝났다고 합니다. 그리고 그 다음은 3nm가 될 것이라네요.

 

 

핀 피치, 게이트 피치,  최소 메탈 게이트 간격, 로직 유닛의 높이, 로직 트랜지스터 밀도, 로직 트랜지스터 밀도의 상대값.

 

인텔, TSMC, 삼성을 비교했을 때 인텔이 가장 우수하다는 주장. 인텔의 10nm는 타사의 7nm 수준이라고 합니다. 

 

인텔은 8세대 커피레이크에 14nm 공정을 사용했습니다. 10nm는 캐논레이크 모바일, 아이스크레이크 데스크탑에 쓰일 것입니다. 허나 가장 먼저 10nm를 쓰이는 건 차세대 FPGA인 falcon Mesa입니다. 

 

 

그리고 인텔은 여러 종류의 공정을 혼합하는 MIx and Match 설계를 도입합니다. 각각의 모듈을 서로 다른 공정으로 만들어 함께 패키징하는 것입니다. CPU나 GPU는 최신 공정, IO와 IP 모듈은 그보다 낮은 공정으로 만드는 식이죠.

 

이들 모듈은 인텔의 EMIB 패키징을 통해 하나로 결합됩니다. 112Gbps의 시리얼 통신, PCI-E 4.0 x16 레인으로 대역폭/레이턴시를 해결. http://news.mydrivers.com/1/549/549078.htm

 

 

 

 

5nm와 3nm를 위해서 여러 기술을 사용하는데 다음과 같습니다. http://news.mydrivers.com/1/549/549027.htm

 

나노미터 트랜지스터. 채널 정전기를 개선하는데 도움을 주는 구조를 지녀, 게이트 길이를 줄일 수 있습니다.

 

II_V 원료. 게이트 전이율을 개선해 더 높은 성능, 더 낮은 전압, 더 낮은 전력에서도 작동하도록 해줍니다. 

 

3D 적층. 더 작은 면적에 더 많은 실리콘을 쌓을 수 있습니다.

 

메모리 밀집. 고밀도 메모리입니다. 비휘발성/휘발성 메모리가 모두 포함.

 

인터커넥트. 최첨단 공정에선 인터커넥트를 작게 만드는 것이 회로를 작게 만드는 것만큼이나 중요합니다. 새로운 재료로 개발 중.

 

EUV. 13.5nm 파장을 지녔습니다. 지금의 193nm에 비해 아주 짧지요. 

 

자전 전자학. CMOS 기술을 넘어서는 것으로 CMOS로 더 이상 미세화가 안될 때 사용하게 될 것입니다. 

 

신경망 컴퓨팅. AI야 요새 가장 핫한 분야니까..